富士IGBT失效分析.pdf

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IGBT失效分析介绍

2013/09/11

富士电机（中国）有限公司

半导体营业本部

营业技术部

©FujiElectric（China）Co.,Ltd.Allrightsreserved.11

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◆芯片破坏实例

◆破坏原因整理(FTA)

◆对策

・门极驱动回路

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IGBT模块疑难解答

有没有在设计装置时,对非预期的模块故障原因分析而困扰?……

富士电机根据ＩＧＢＴ模块破坏实验的结果做出分析

从芯片破坏的状况可推测故障模式

＜ＩＧＢＴ模块主要故障原因＞

①①①①电气的应力电气的应力电气的应力电气的应力

◆由于过电压,过电流直接导致芯片的损坏

②②②②热的应力热的应力热的应力热的应力

◆由于过大的损耗直接造成芯片的损坏

◆由于温度周期导致封装部材料的热疲劳

③③③③机械的应力机械的应力机械的应力机械的应力

◆由于外部环境导致芯片・封装的直接破坏

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IGBT(超出RBSOA)

11--1.1.短路损坏短路损坏

该用户很懒，什么也没介绍

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