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accelicon confidential 1 bsim4设备建模简介四次.pdf

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    文档标题acceliconconfidential1bsim4设备建模简介四次BSIM4改进了BSIM3的门诱导drainleakageGidl状态模型，准确地模拟了门通向源和反通向节点的路径此外，我们还改进了VTH模型，以用于pockets植入HALO和retrograde化学技术此外，我们还引入了新的内部和外部阻力依赖的drain和source，以及内阻和外阻相关的电容和电阻

    BSIM4ImprovementstoBSIM3

    Gateinduceddrainleakage(GIDL)currentmodel

    Accurategatetunnelingcurrentmodel

    VTHmodelforpocketimplantation(HALO)/retrograde

    technology

    Moreaccuratemobilitymodel

    Bothinternalandexternalbias-dependantdrainandsource

    resistance

    Junctiondiodebreakdown

    Betterdescriptionofhigh-frequencybehavior

    –ImprovedNon-Quasi-Static(NQS)model

    –IntrinsicRgatemodel

    –Flexiblebuilt-insubstrateresistancenetwork

    –Improvedthermalnoisemodel

    Layout-dependantparasiticmodel

    2/Accelicon

    RoadofBSIM4Development

    BSIM4.0.0firstreleasedon03/2000.

    BSIM4.1.0:BugfixesandananalyticalequationforPIwhenitis

    notspecified.

    BSIM4.2.0:BugfixesandtwonerametersXL,XW(geometry

    offsetparametersduetomask/etcheffect).

    BSIM4.2.1:Bugfixes;Codecleaneduptobemoreefficient;Gate

    InducedSourceLeakage(GISL)isadded,resultinanenormous

    improvementinsimulationconvergence.

    BSIM4.3.0:Toaddressseveralnewissuesinmodelingsub-0.13

    micronCMOStechnologyandRFhigh-speedCMOScircuitsimulation

    –Anewscalablestresseffectmodelforprocessinducedstresseffect.

    –Aunifiedcurrent-saturationmodelthatincludesallmechanismsofcurrent

    saturation.

    –Anewtemperaturemodelformatthatallowsconvenientpredictionof

    temperatureeffectsonsaturationvelocity,mobility,andS/Dresistances.

    –Enhancedaccuracyandflexibilityofholisticthermalnoisemodel

    –Improvedaccuracyofforwardbodybiasmodel.

    –Extensionofgatedirecttunnelingmodeltomultiple-layergatedielectrics.

    3/Accelicon

    RoadofBSIM4Development(Contd.)

    BSIM4.4.0:toaddresstrap-assistedtunnelingand

    recombinationcurrentthatoccursatreversebiased

    P-Njunctionwherethedopingon

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