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微电子工艺技术课后作业HW4参考答案

布时间:2018.1.缴交时间:208.1.22:208.2.06

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一、答:

.0%列举掺杂工艺中子注入比技术的优点和缺

离子注入的优点:⑥横向效应气固相扩小多,有利集成路

①元素通过分析选取,纯度,单一器件尺寸的小

②各种杂质浓度分布与注入浓度可通过确控掺⑦子以通过表面上的膜(SO2)入到中,

杂和来达到而表面膜起保护膜作用,防止污

③同平面掺杂分布均匀(1%)相比

于高浓度热,同意面内均匀性最好也只子注入的缺:

制5%10%,低浓度散均匀性更差①会产生,甚至晶化,必经退火加以

④注入是平过程,不受固溶度限,做到改进

浓度②设备相对复杂、对昂尤其是超低子

浅结低浓度或深结

⑤衬底低可以用多种材做掩膜,且免高温注入机)

过程引的热散起的热,也易于件尺寸的③有不安全因,如压、气体

小。

0%解释名词核阻本领和电子本领

②从损失和子的关系曲线分不同注入区,哪种本领占要位

③释高注入区核本领下降的

①核止本领:来自原子核的,用于描述材中入子的

损失大小

电子止本领:来自内自由电子和束电子的,用于描述材

中注入子的能损失大小

②低能区:核止本领占地位

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