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微电子工艺技术课后作业HW4参考答案
布时间:2018.1.缴交时间:208.1.22:208.2.06
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一、答:
.0%列举掺杂工艺中子注入比技术的优点和缺
离子注入的优点:⑥横向效应气固相扩小多,有利集成路
①元素通过分析选取,纯度,单一器件尺寸的小
②各种杂质浓度分布与注入浓度可通过确控掺⑦子以通过表面上的膜(SO2)入到中,
杂和来达到而表面膜起保护膜作用,防止污
③同平面掺杂分布均匀(1%)相比
于高浓度热,同意面内均匀性最好也只子注入的缺:
制5%10%,低浓度散均匀性更差①会产生,甚至晶化,必经退火加以
④注入是平过程,不受固溶度限,做到改进
浓度②设备相对复杂、对昂尤其是超低子
浅结低浓度或深结
⑤衬底低可以用多种材做掩膜,且免高温注入机)
过程引的热散起的热,也易于件尺寸的③有不安全因,如压、气体
小。
0%解释名词核阻本领和电子本领
②从损失和子的关系曲线分不同注入区,哪种本领占要位
③释高注入区核本领下降的
①核止本领:来自原子核的,用于描述材中入子的
损失大小
电子止本领:来自内自由电子和束电子的,用于描述材
中注入子的能损失大小
②低能区:核止本领占地位
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