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摘要
摘要
纳米氧化铟（InO）和氧化锡（SnO）作为宽禁带N型半导体，具有多种优点，
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因其高活性和高可见光透过率等优异性能，在光电材料领域得到广泛应用。常用于
ITO（铟锡氧化物）靶材原料粉末制备各种光学显示器件。近年来随着来大尺寸、高
分辨率、柔性显示器件的发展，对于ITO靶材性能提出了更高要求，而传统ITO粉
体制
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