T_CASAS 033—202X《SiC MOSFET功率器件开关动态测试方法》.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS033—202X（征求意见稿）

SiCMOSFET功率器件开关动态测试方法

SwitchingdynamictestmethodforSiCMOSFETpowerdevice

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS033—202X（征求意见稿）

SiCMOSFET功率器件开关动态测试方法

1范围

本文件描述了双脉冲测试条件下SiCMOSFET功率器件开关动态测试的术语和定义、符号、测试电

路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容。

本文件适用于分立器件和功率模块等封装SiCMOSFET功率器件的开关动态测试与评估，对于SiC

JFET、SiCBJT、SiCIGBT等其他类型的SiC晶体管功率器件，可参照本文件执行。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB4793.5-2008测量、控制和实验室用电气设备的安全要求第5部分：电工测量和试验用手持

探头组件的安全要求

GB/T15289-2013数字存储示波器通用规范

GB/T37140-2018检验检测实验室技术要求验收规范

T/CASA002-2021宽禁带半导体术语

T/CASA006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

3术语和定义

T/CASA002-2021、T/CASA006-2020界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管siliconcarbidemetal-oxide-semiconductorfield

effecttransistor

SiCMOSFET

具有金属氧化物半导体结构，以栅极隔着氧化层利用电场效应来控制半导体沟道的SiC场效应晶体

管。

双脉冲测试doublepulsetest

给功率器件施加两个脉冲作为驱动控制信号的测试方法。第一个脉冲开通器件至负载上的电流达

到目标测试电流值。第一个脉冲的下降沿作为关断过程的观测时刻，而第二个脉冲的上升沿作为开通过

程的观测时刻。

被测器件deviceundertest

DUT

双脉冲测试中，被测试的功率器件。

桥臂phase-leg

1

T/CASAS033—202X（征求意见稿）

由两个功率器件串联形成的组合电路，包括上桥臂和下桥臂两个功率器件。

4符号和缩略语

T/CASA002-2021、T/CASA006-2020中界定的以及下列符号和缩略语适用于本文件。

LESL：电容的等效串联电感。

CEPC：电感的等效并联电容。

td（on）：开通延迟时间。

tr：上升时间。

ton：开通时间。

tD（off）：关断延迟时间。

tf：下降时间。

toff：关断时间。

Eon：开通能量。

Eoff：关断能量。

Irr：反向恢复电流。

trr：反向恢复时间。

Qrr：反向恢复电荷。

dv⁄dt：电压变化率。