10_STM32F4微控制器片上外设应用开发（FSMC）.pptVIP

***STM32微控制器-FSMC接口原理FSMC介绍FSMCFSMC(FlexibleStaticMemoryController，可变静态存储控制器)是STM32系列采用的一种新型的存储器扩展技术。在外部存储器扩展方面具有独特的优势，可根据系统的应用需要，方便地进行不同类型大容量静态存储器的扩展。FSMC介绍FSMC(FlexibleStaticMemoryController，可变静态存储控制器)是STM32系列中内部集成256KB以上FlaSh，后缀为xC、xD和xE的高存储密度微控制器特有的存储控制机制。之所以称为“可变”，是由于通过对特殊功能寄存器的设置，FSMC能够根据不同的外部存储器类型，发出相应的数据/地址/控制信号类型以匹配信号的速度，从而使得STM32系列微控制器不仅能够应用各种不同类型、不同速度的外部静态存储器，而且能够在不增加外部器件的情况下同时扩展多种不同类型的静态存储器，满足系统设计对存储容量、产品体积以及成本的综合要求。FSMC介绍STM32微控制器-FSMC接口FSMC，即灵活的静态存储控制器，能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接。其主要用途如下：将AHB数据通信事务转换为适当的外部器件协议满足外部器件的访问时序要求STM32微控制器-FSMC接口所有外部存储器共享地址、数据和控制信号，但有各自的片选信号。FSMC一次只能访问一个外部器件。FSMC具有以下主要功能：连接静态存储器映射的器件：静态随机访问存储器(SRAM)只读存储器(ROM)NORFlash/OneNANDFlashPSRAM（4个存储区域）STM32微控制器-FSMC接口两个带有ECC硬件的NANDFlash存储区域，可检查多达8KB的数据16位PC卡兼容设备支持对同步器件（NORFlash和PSRAM）的突发模式访问8或16位宽的数据总线每个存储区域有独立的片选控制每个存储区域可独立配置STM32微控制器-FSMC接口可对时序进行编程，以支持各种器件，尤其是：等待周期可编程（最多15个时钟周期）总线周转周期可编程（最多15个时钟周期）输出使能和写入使能延迟可编程（最多15个时钟周期）独立的读和写时序和协议，以支持各种存储器和时序写使能和字节通道选择输出，可配合PSRAM和SRAM器件使用将32位的AHB事务转换为针对外部16位或8位器件进行的连续16位或8位访问。STM32微控制器-FSMC接口用于写入的FIFO，2字长（对于STM32F42x和STM32F43x，为16字长），每个字为32位宽，仅用于存储数据，而不存储地址。因此，此FIFO仅会缓冲AHB批量写事务。从而可对慢速存储器执行写入操作后能快速释放AHB，以供其它操作使用。每次仅缓冲一个突发事务：如果在有操作正在进行时发生一个新的AHB突发事务或者一个单独事务，则FIFO将会清空。FSMC将插入等待周期，直至当前存储器访问已完成）。外部异步等待控制定义外部器件类型和其特性的FSMC寄存器通常在启动时进行设置，并且在下次上电或复位前保持不变。但也可随时更改这些设置。STM32微控制器-FSMC接口FSMC包含四个主要模块：AHB接口（包括FSMC配置寄存器）NORFlash/PSRAM控制器NANDFlash/PC卡控制器外部器件接口STM32微控制器-FSMC接口FSMC驱动SRAM原理静态随机存取存储器SRAM（StaticRandom-AccessMemory）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatilememory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。FSMC驱动SRAM原理SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，功耗较小，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。FSMC驱动SRAM原理IS62WV51216是ISSI（IntegratedSiliconSolution,Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存（SR