电子技术基础考试试卷.pdf

电子技术基础考试试卷

一、填空题（每题2分，共20分）

1．实际使用的电源，按其外特性可以分为（）和（）。

2．有一种物质，它的导电性介于导体和绝缘体之间，这就是（），

如硅、锗。

3．数字工程中，按存取方式分类，常用的存储器有顺序方向存储器，

（）存储器，（）存储器三种。

4．电路的功能大致可以分为两类，一类是作为（）的传输和转换，

如电力电路；一类是作为实现（）的传递和处理，如信号电路。

5．如右图所示的电路中，B点的电位为（）V。

6．测得工作在放大区的晶体三极管三个电极的电位分别为+2.3V、

+2V、+8V，则此管的三个电极先后为基极、（）极和（）极。

7．存储器的（）和（）是反映系统性能的两个重要指标。_

8．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3KΩ的负载电

阻后输出电压为3V,这说明放大电路的输出电阻为（）。

9．将十进制数18.625化为二进制数为（），化为十六进制数为

（）。

10．设输入变量为A、B、C，判别当三个变量中有奇数个1时，函

数F=1,否则F=0,实现它的异或表达式为F=（）。

二、单项选择题（每小题2分，共10分）

1．PN结加上反向电压，自建电场与外加电场方向（），内电场（）。

A.相反加强B.一致加强

C.相反减弱D.一致减弱

2．下列电路中，（）不是时序电路。

A.计数器B.触发器

C.寄存器D.译码器

3．图示电路中，AB之间电压V对应的方程式为（）。

A.V=IR+EB.V=IR-EC.V=-IR-ED.-V=IR+E

4．右图是下面哪类场效应管的图符？

A.N沟道耗尽型场效应管B.P沟道耗尽型场效应管

C.N沟道耗尽型MOS管D.P沟道耗尽型MOS管

5．组合逻辑电路险象的消除方法不包括（）

A.多余项插入法B.改变电路结构

C.加接惯性环节D.消除选通脉冲

三、分析计算题（共70分）

1．求图中电路中a、b、c各点的电位。（其中E1=5V,E2=10V,

R1=2Ω,R2=5Ω,R3=4Ω）

2．逻辑电路的输入A、B的波形和输出F的波形之间的关系如图所

示，试列出真值表，写出函数F的逻辑关系式，并画出实现此函数的

逻辑图。

3．已知电路如图所示，求电流I。

（其中E1=12V,E2=24V,E3=4V,R1=6Ω,R2=12Ω,

R3=1Ω,R4=3Ω）

4．由两个电源共同向负载R供电的电路如下，已知电源的电动势

E1=E2=110V,内阻r1=10Ω,r2=5Ω,负载两端电压读数为90V,

试求两电源供电电流I1、I2，负载电阻R以及两电源发出的功率。

（电压表内阻的影响忽略不计）

5．在电路图的输入端υi（t）加入如图所示波形，视D为理想开关，

试对应画出输出υo（t）的波形。

6．今有一个额定电压VN=110V,功率PN=45W的电烙铁，要接

在220V的电源上工作，为了保证正常工作，试问要串入多大的电阻

值？这样连接工作在经济上是否合理？

7．已知电路如图所示，US=18V,RO=4Ω,求RL为何值时，负载

获得功率最大，并求出最大功率。

8．电路如图所示，设t0时，电路已达稳定，在t=0时，开关K

由位置1转到位置2,与具有R1的电压源E相接通。

求电容电压υc(t)的变化规律，并画出波形。

9．描述逻辑电路的方称