专用集成电路Chapter3-模拟IC及其模块设计.ppt

第三讲模拟IC及模块设计举例内容模拟IC设计需要具备的条件模拟IC设计受非理想因素的影响运算放大器的设计电压比较器的设计压控振荡器的设计模拟前端EDA工具简介Cadence中Spectre的模拟仿真内容模拟IC设计需要具备的条件模拟IC设计受非理想因素的影响运算放大器的设计电压比较器的设计压控振荡器的设计模拟前端EDA工具简介Cadence中Spectre的模拟仿真1、模拟IC设计需要具备的条件电路设计软件及模型电路图绘制（SchematicCapture）电路仿真验证（SPICE软件）器件工艺模型（SPICEMODEL）某IC制造公司提供的SPICEModel（NMOS）*NMOS(NML7).MODEL1NMOSLEVEL=1VTO=0.7KP=1.8E-5TOX=7E-8LD=1.0E-6XJ=1.0E-6UO=320GAMMA=0.83PMI=0.695RD=27RS=27CBD=7.8E-14CBS=7.8E-14PB=0.74CGSO=5.9E-10CGDO=5.9E-10CGBO=9.9E-9MJ=0.33LAMBDA=0.016TPG=-1IS=1.0E-15*END模拟IC设计需要具备的条件(Cont.）版图设计软件及验证文件版图绘制软件(Virtuso)设计规则检查软件(DRC)寄生参数提取软件(Extracter)版图-电路图一致性检查(LVS)后三项软件需要的规则文件DRC验证文件(DesignRuleCheck)ivIf(switch(drc?)then；条件转移语句，选择是否运行drcdrc(nwellwidth4.81.a:Minnwellwidth=4.8)；检查N阱宽度是否小于4.8umdrc(nwellsep1.81.b:Minnwelltonwellspacing=1.8)；检查N阱之间的最小间距是否小于1.8umdrc(nwellndiffenc0.61.c:nwellenclosurendiff=0.6)；检查N阱过覆盖N扩散区是否大于0.6umdrc(nwellpdiffenc1.81.d:nwellenclosurepdiff=1.8)；检查N阱过覆盖P扩散区是否大于1.8umsaveDerived(geomAndNot(pgatenwell)1.e:pmosdevicemustbeinnwell))；检查pmos是否在N阱内LVS验证文件(LayoutVsSch)lvsRules(procedure(compareMOS(layPlist,schPlist)；比较MOS管的属性prog(()if(layPlist-w!=nilschPlist-w!=nilthenif(layPlist-w!=schPlist-wthensprintf(errorW,Gatewidthmismatch:%gulayoutto%guschematic,float(layPlist-w),float(schPlist-w))return(errorW)))if(layPlist-l!=nilschPlist-l!=nilthenif(layPlist-L!=schPlist-Lthensprintf(errorL,Gatelengthmismatch:%gulayoutto%guschematic,float(layPlist-l),float(schPlist-l))return(errorL)))return(nil)))Extract（寄生）器件、参数提取文件drcExtractRules(ivIf(switch(extract?)then；定义识别层ngate=geomAnd(ndiffpoly)pgate=geomAnd(pdiffpoly)；提取器件extractDevice(pgatepoly(G)psd(SD)pmosivpcell)extractDevice(nga