GBT2900.32-1994 电工术语 电力半导体器件.pdf

UDC621.382·213:001.4

K04

中华人民共和国国家标准

GB/T2900.32-94

电工术语电力半导体器件

Electrotechnicalterminology

Powersemiconductordevice

1994-05-16发布1995-01-01实施

国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准

GB/T2900.32-94

电工术语电力半导体器件

代替GB2900.3282

Electrotechnicalterminology

Powersemiconductordevice

本标准参照采用了国际电工委员会OEC）出版物747《半导体器件》和出版物50(521)《国际电工词

汇半导体器件和集成电路》中有关整流管、晶体管、晶闸管及其通用的术语。

1主题内容与适用范围

本标准规定了电力半导体器件的专用术语。

本标准适用于制订标准、编订技术文件、编写和翻译专业于册、教材及书刊。

2基础术语

2.1物理学名词

2.1.1半导体semiconductor

一种电阻率通常在金属和绝缘体之间，并在一定温度范围内载流子浓度随温度升高而增加的物

质。

2.1.2本征半导体intrinsicsemiconductor;I－型半导体I-typesemiconductor

一种在热平衡下传导电子和可动空穴密度几乎相等的高纯半导体或完全相等的理想半导体。

2.1.3非本征半导体extrinsicsemiconductor

一种载流子浓度取决于杂质或其他缺陷的半导体。

2.1.4N型半导体N-typesemiconductor；电子型半导体electronsemiconductor

一种在热平衡下传导电子密度显著大于可动空穴密度的非本征半导体。

2.1.5P型半导体P-typesemiconductor；空穴型半导体holesemiconductor

一种在热平衡下可动空穴密度显著大于传导电子密度的非本征半导怀。

2.1.6结junction

在半导体中或金属与半导体之间，具有不同电特性两区域之间的过搜区域。

2.1.7PN结PNjunction

半导体P型区和N型区之间的结。

2.1.s合金结alloyedjunction

由一种或几种金属材料与半导体晶体合金化形成的结。

2.1.9扩散结diffusedjunction

由杂质扩散进入半导体晶体内形成的结。

2.1.10生长结grownjunction

由熔融态半导体生长晶体形成的结。

2.1.11外延结epitaxyjunction

在半导体晶体衬底上，沉积生长晶体形成的结。

国家技术监督局1994-05-16批准

1995-0个01实施

1

GB/T2900.32-94

2.1.12键合结bondingjunction