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二极管及其特性练习题
一、选择题
1、{晶体二极管内部由()构成。}
A、一个PN结B、两个PN结C、两块N型半导体D、两块P型半导体。
答案:A
难易程度:易
答案解析:二极管的核心结构是一个PN结。
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS001
技能标识:否
2、{硅二极管的死区电压为()。}
A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
答案:C
难易程度:易
答案解析:硅管的死区电压为0.5v。
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS002
技能标识:否
3、{锗二极管的导通电压为()。}
A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
答案:B
难易程度:易
答案解析:锗管的导通电压为0.3v
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS003
技能标识:否
4、{硅二极管的导通电压为()。}
A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
答案:D
难易程度:易
答案解析:硅管的导通电压为0.6~0.7v
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS004
技能标识:否
5、{二极管的伏安特性曲线反映的是二极管()的关系曲线。}
A、VD-IDB、VD-rDC、ID-RDD、f-ID
答案:A
难易程度:易
答案解析:二极管的伏安特性曲线反映的是电压与电流的关系。
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS005
技能标识:否
6、{若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管()。}
A、击穿B、电流为零C、电流过大而损坏D、正向电压偏低而截止
答案:C
难易程度:易
答案解析:内阻为零,电流无穷大,二极管会因为电流过大二损坏。
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS006
技能标识:否
7、{二极管正向导通的充要条件是()。}
A、加上正向电压B、加上超过死区电压的正向电压
C、加上反向电压D、加上低于死区电压的正向电压
答案:B
难易程度:易
答案解析:二极管导通所加正向电压必须超过死区电压。
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS007
技能标识:否
8、{下列关于二极管的特性参数说法正确的是()。}
A、二极管正常工作时,通过的电流可以超过额定工作电流。
B、二极管的最高反向工作电压就是二极管的击穿电压,所以一旦超过最高反向工作电压,二极管立马击穿烧坏。
C、二极管的漏电流反映了二极管单向导电特性的好坏,该电流越大表明导电性能越好。
D、二极管的最高工作频率是指二极管正常工作时的最高频率
答案:D
难易程度:易
答案解析:参看课件。
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS008
技能标识:否
9、{下列关于2CW系列二极管说法正确的是()。}
A、该管是N型锗管B、该管表示整流二极管
C、该管是N型硅管D、该管表示P型硅管
答案:C
难易程度:易
答案解析:参看课件。
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS009
技能标识:否
10、{如图所示,A、B两点之间的电压是()。}
图1
A、5VB、10VC、-5VD、15V
答案:B
难易程度:易
答案解析:二极管均承受反向电压而截止,故AB间电压为10v。
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS010
技能标识:否
11、{如图2所示,二极管的状态是()。}
图2
A、导通B、截止C、反向击穿D、无法判断
答案:B
难易程度:易
答案解析:二极管均承受反向电压而截止。
题型:单选题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS011
技能标识:否
二、判断题
12、{将一个N型半导体和一个P型半导体背靠背,就可以得到一只二极管。()}
A.正确
B.错误
答案:B
难易程度:易
答案解析:二极管内部核心结构是一个PN结,PN结需要特殊的工艺才能得到。
题型:判断题
重点标识:是
试题编号:DZ001ZS012
技能标识:否
13、{从二极管的结构符号可以看出,电流从二极管的正极流出,回到负极。()}
A.正确
B.错误
答案:B
难易程度:
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