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测试三
一、名词解释(每小题3分,共18分)
1.同质多晶现象
2.静电键强度
3.非均态核化
4.结构驰豫
5.重构表面
6.不一致熔融化合物
二、填空(每小题2分,共20分)
1.在O2-作面心立方密堆积的晶体中,为获得稳定结构,正离子将所有八面体空隙均填满的晶体有__;填满一半四面体空隙的晶体有
_(请各举一例)。它们分别属于和_型结构。
_
2.反尖晶石的表达式可写成,其中填入的四面体空隙,填充的八面体空隙,单位结构内含有个分子数。
3.下列硅酸盐晶体矿物:Ca[AlSiO]、KAl[AlSiO](OH)、BeAl[SiO]、CaMg[SiO](OH)分别属于、、和结构。
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4.已知MgO晶体的肖特基缺陷生成能为6ev,则该晶体在1600℃时的空位浓度为。
5.加ThF4到CaF2中形成间隙型固溶体,则缺陷反应方程式为,固溶体分子式为。
6.化合物TiO由于在组成上偏离化学计量而产生的晶格缺陷是,属于型非化学计量化合物,应在气氛下形成。
2-X
7.晶体线缺陷中,位错线与滑移方向平行的是,用符号表示,产生原因为。
8.粘土粒子破键引起的荷电与介质的pH值有关,高岭土在酸性介质中边棱带电荷;在碱性介质中边棱带电荷。
9.一种玻璃的摩尔组成为30mol%NaO·10mol%AlO·60mol%SiO,则四个基本结构参数分别为Z=,R=,X=
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,Y=。
10.三种典型离子化合物PbI、PbF、CaF的比表面能分别为1.3×10-5J/m2、9.0×10-5J/m2、25.0×10-5J/m2,由此可以预计这三种化合物的表面双电
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.专业资料.
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层厚度的大小次序为。
三、选择(每小题2分,共22分)
1.
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