半导体设备专题报告（一）：前道设备——扼喉之手，亟待突破！.pdfVIP

证券研究报告

行业报告|行业专题研究2023年05月16日

机械设备

半导体设备专题报告（一）：

前道设备——扼喉之手，亟待突破！

作者：

分析师李鲁靖SAC执业证书编号：S1110519050003

分析师朱晔SAC执业证书编号：S1110522080001

行业评级：强于大市（维持评级）

请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明上次评级：强于大市1

摘要

➢千亿美金的半导体设备赛道，或即将迎来上行周期：全球半导体产业发展呈现周期性：技术和宏观环境驱动的10年大周期和由资本开支驱动的3-4年的小周期，

根据历史周期判断，2024年全球半导体资本开支有望上修。

➢半导体突破是发展之重，前道设备是半导体生产之重：半导体设备作为行业基石，与资本开支关系密切，2022年市场规模达到1076.5亿美元，国际限制半导体设

备向我国出口之下，半导体设备国产替代是必经之路，国内晶圆厂逆势扩产拉动国产半导体设备需求进一步上行。半导体制造分为前道制造和后道封测，前道设

备价值量占据总设备价值量约80%。前道制程的工艺模块可以归类为前段工艺（FEOL）、中段工艺（MOL）和后段工艺（BEOL），前段工艺负责形成器件、

后段工艺负责形成金属互连，中段工艺将器件与金属层连接起来。模块工艺是由不同的单项工艺组合而来，单项工艺包括光刻、涂胶显影、薄膜沉积、刻蚀、离

子注入、CMP、清洗等，其中薄膜沉积、刻蚀和光刻设备是价值量最大的三类设备：

1.薄膜沉积：半导体制造过程中需要反复进行薄膜生长，不同工艺环节沉积的薄膜作用不同，所用工艺也不同，总体来看，沉积工艺可以分为物理气相沉积和化学

气相沉积，原子层气相沉积本质上属于化学气相沉积，是应新技术或材料而生的沉积工艺。制程进步+存储芯片架构3D化为提升薄膜沉积设备需求，2022年全球

薄膜设备总市场已经达到229亿美元，主要由欧美和日系厂商垄断，应用材料是PVD龙头，Lam在ECD领域一家独大，TEL和ASM在ALD领域市占率较高，国

内各厂商产品可以互补：拓荆科技主要产品为PECVD，还布局了ALD、SACVD和HDPCVD，北方华创在PVD上优势明显；微导纳米以ALD为核心产品；中

微公司起家于刻蚀，依托底层技术进入薄膜沉积领域，产品布局包括MOCVD、WCVD等；盛美上海在ECD领域优势明显。

2.刻蚀：使用物理或者化学的方法在器件表面形成微观结构，制程微缩+存储芯片3D化引起刻蚀难度和需求量增大，2022年全球干法刻蚀设备市场规模大概为230

亿美元，ICP和CCP几乎平分超95%市场份额。Lam，TEL和AMAT几乎垄断全球干法刻蚀设备市场，国内主要由中微公司和北方华创进行突破，前者优势产

品为CCP，后者优势产品为ICP，二者在发展过程中向对方领域渗透。

3.光刻：ASML系全球绝对龙头，掌握最先进的EUV光刻技术，ASML和Nikon均可以提供浸没式DUV光刻机，国内近乎空白。

4.涂