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磷吸杂对多晶硅片少子寿命分布的影响
一.引言
2003年多晶硅太阳电池的市场份额达56.3%，已成为光伏
市场的主要产品。然而，一方面，多晶硅中存在着高密度的缺
陷和杂质，如晶界、位错、氧碳和金属等，对多晶硅片性能造
成不良影响；另一方面，由于多晶硅中各部分缺陷和杂质分布
的不均匀性，造成单片多晶硅片性能上的明显差别。
太阳能电池生产工艺中，在磷扩散制备PN结时，可以利
用磷吸杂的方法有效地吸除多晶硅片体内的杂质，尤其是过渡
族金属杂质，从而大幅提高硅片的少子寿命和电池片的转化效
率。但是，很多研究表明，由于多晶硅片
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