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600V沟槽FSIGBT的器件设计
摘要
场阻型IGBT(Field-StopIGBT,FS-IGBT)是目前为止发展起来的非常先进的结构。它具有许多半导体器件所不具备的很多的优势,因此被广泛地应用于工业领域和消费领域。我国虽然对IGBT的研究取得了不小的成就。但是,相较于国外,我国的制造工艺水平仍然低于外国的先进水平,结合现有的工艺,设计本毕业设计实现一款耐压能力为600V,导通压降小于2V,阈值电压在4V左右的的TrenchFSIGBT。
本论文的研究的主要内容如下:
1:对IGBT的发展历程进行了概述,对FSIGB
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