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基于VDMOS结构参数的TCAD仿真.docx

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    基于VDMOS结构参数的TCAD仿真

    摘要

    目前，我国的VDMOS器件在研发方面获得了较大的进步，但就生产工艺而言，依旧不是很成熟，还存在较大的发展空间。同时，国外的VDMOS功率器件因为其优异的制造性能和独立的知识产权这两大优势而拥有了较多的市场空间。所以，就研发工艺流程和工艺控制这两方面而言，对国内VDMOS器件的发展有非常重大的现实意义。

    本次毕业设计的研究对象是国外的一种极具代表性的VDMOS器件（其阈值电压等于3.2V，击穿电压等于500V）。通过对VDMOS器件进行分析，基于从VDMOS器件中提取出来的结构参数，运用Silvaco软

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