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微机接口第四章答案如下:
1.半导体存储器的特点是:1、速度快、存储时间可为ns级2、集成化、
不仅存储单元所占空间小,而且译码电路和缓冲寄存器以及存储器单元
都制作在同一片芯片上,体积特别小3、非破坏性读出,特别是半导体
静态存储器,不仅读操作不破坏原来的信息,而且不需要再生,这样既
缩短了读写时间,又简化了控制操作。
2.RAM:随机存储器分为SRAM和DRAM(关机后信息会消失)
SRAM:(静态存储器)不许刷新电路,特点是功耗大,容量小,存取
速度快。DRAM:(动态存储器)要刷新电路,特点是功耗低,容量
大,存取速度慢。
3.ROM只读存储器,又可分为PROM:(可编程的ROM)EPROM:
(可擦出可编程的ROM)E2PROM:(点可擦出可编程ROM)
4.闪速存储器(FlashMemory)又称快擦型存储器,特点是结构简单电
可擦出,功耗低,集成度高,体积小,可靠性高,无需后备电池,可重
复改写,重复使用性好等。
5.衡量一个半导体存储器性能的优劣的技术指标:存储器容量、存储器
的存储速度、可靠性能、性价比等。
6.存储器容量:某存储器芯片是16位,字长是8位,则它的容量是2的16
次方乘以8位。
7.半导体芯片的发展史:从存储器的分类可以看出计算机系统中的主存
(内存)主要包括系统内存、高速缓冲存储器、以及各种缓冲芯片,包
括显存,光驱设备中的缓存,甚至bios的闪存也是内存范畴,而这些存
储器都是半导体芯片。
1.Sdram是1996年推出的dram技术。它在一个cpu时钟周期内就可以完成
数据的访问和刷新。可与cpu的外频同时工作,故称同步dram。Sdram采
用双存储结构,当cpu访问一个存储时,另一个cpu就会最好准备,两个
存储体自动切换。
2.ddrsdram的核心建立在sdram的基础上在速度和容量上都有提高。
3.ddr2sdram在ddr的基础上新增4个数据欲取的特性,这是ddr2的关
键技术之一。Ddram内部都采用了4bank结构,内存颗粒单元称为cell这
是由内存单元队列构成。这是内存单元颗粒的时钟频率分为三种:dram
核心频率;时钟频率;数据传输频率。
8.内存条的发展史:内存条是一个以小型板卡形式出现的存储器产品。
它的特点是:容易安装,便于用进行更换,也便于增加或扩充内存。以
前的pc机中使用的内存条是单边线连的存储模块简称simm;为了适应奔
腾系列的pc机的需要,一种新的64位的pc机问世,这种内存条采用168
条引脚,由于引脚过多不使内存条过长,采用双面连线的方法,这样就
形成了双面连线的存储模块,简称dimm。
9.dimm与simm的区别:dimm比simm更加灵活,最重要的是dimm内存条支
持3.3V电压,simm内存条确实只能支持5V电压,而奔腾系列的芯片大多
是支持3.3V电压。
10.三种类型的芯片:sram静态芯片(hm616)特征是:高速度;低耗
能;与ttl兼容、管脚引出与标准的2k*8b的芯片兼容、完全静态不需要
刷新;dram动态芯片(inter2164)特性是:存储时间是150ns/200ns、
低耗能、每2ms要刷新一次,每次刷新512个单元,2ms内需要有128个刷
新周期;eprom芯片(inter2732)。
11.全译码:高位片内地址线全部参加译码,此时存储器里任意单元都
有唯一确定的地址。
12.部分译码:高位片内地址线只有部分参加译码,此时会出现一个单
元有多个地址。
13.线选法:从cpu直接引出地址线与芯片相连,进行译码,此时会出现
一个地址多个单元。
14.奇存储器、偶存储器、奇地址、偶地址、对准字、未对准字的相关
概念:我们都知道8096有20位地址线就可以对应1024个地址单元,此外
8086还有16位地址线,就是说一次最多可以读2字节。为了让8086达到
一次既可以读一个字节,又可以读两个字节的要求,就将他的地址空间
一分为二,各占512个地址空间。规定用来连接8086高8为地址的存储器
就是奇存储器,用来连接低8位的就是偶存储器,与之对应的高位地址
就是奇地址,低位地址就是偶地址。而计算机在读或存数时是第一个时
钟周期访问低位,第二个时钟周期访问高位。当我们要访问一个字的低
8位在奇存储器中就是未对准字,是不规范的;若是要访问一个字的低8
位在偶存储器中时就是对准字,是规范的。
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