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大基金三期相对于此前两期,有何不同?
2024年5月24日,国家集成电路产业投资基金(简称“大基金”)三期成立,注册资本高达3440亿元,
支持人工智能芯片、先进半导体设备和半导体材料等领域的发展。2024年5月24日,国家集成电路产业投
资基金三期股份有限公司正式注册成立,注册资本为3440亿元,其中中国银行、建设银行、农业银行和工
商银行分别注资215亿元。通过资金投入和战略支持,大基金三期有望在人工智能芯片、先进半导体设备和半导体材料等领域实现突破,提升中国集成电路产业的自主创新能力和全球竞争力。
与大基金一期,二期相比,大基金三期在注册资本有了显著提升。大基金一期成立于2014年9月,注册资
本为987.2亿元人民币。大基金一期由多家国有企业,包括中国烟草、国家开发银行、中国移动等共同发起。在大基金一期的股权结构中,财政部持股36.47%,国开金融持股22.29%,中国烟草和中国移动分别持股11.14%和5.06%。大基金二期于2019年10月22日注册成立,与大基金一期的注册资本相比,大基金二期
的注册资本增至2041.5亿元,而大基金三期注册资本提升更加明显。
序号股东名称出资额(亿元)持股比例
序号
股东名称
出资额(亿元)
持股比例
1 中华人民共和国财政部 600 17.44%
2 国开金融有限公司 360 10.47%
上海国盛(集团)有限公司 300 8.72%
中国工商银行股份有限公司 215 6.25%
中国建设银行股份有限公司 215 6.25%
中国农业银行股份有限公司 215 6.25%
中国银行股份有限公司 215 6.25%
交通银行股份有限公司 200 5.81%
北京亦庄国际投资发展有限公司 200 5.81%
深圳市鲲鹏股权投资有限公司 170 4.94%
资料来源:同花顺,
为了更好地适应集成电路产业长周期投资的特点,大基金三期在投资期限上进行了显著调整,将存续期限延长至15年。与大基金一期和二期的10年存续期限相比,大基金三期将存续期限延长至15年。集成电路作为资金、技术和人才密集型产业,需要长期大量资金支持研发和生产,其投资特点包括规模大、回报周期长以及显著的规模效应。大基金三期不仅延长了经营年限,进一步体现了大基金三期作为“耐心资本”的特征。
大基金的投资布局不断优化和调整,大基金一期的投资主要集中在集成电路制造方向。大基金一期的投资主要集中在集成电路制造(占67%)、设计(占17%)、封测(占10%)和装备材料类(占6%),重点投资存储器和先进工艺生产线。可以明显看出,第一期国家大基金以制造为主线,走的是一条自上而下带动产业链发展的路线。
而大基金二期相比于一期基金,在投资领域上更加多元化,解决行业卡脖子问题。大基金二期主要投向芯片制造及设备材料、芯片设计、封装测试、装备、零部件、材料等产业链环节,布局核心设备以及关键零部件,以保障芯片产业链安全。在投资策略上,二期基金更注重产业整体协同发展和填补技术空白。通过支持龙头公司发展和提高国产化率,大基金二期有力推动了中国集成电路产业的自主创新和高质量发展。
图1:大基金一期主要投资集成电路制造和设计领域
集成电路制造 设计 封测 装备材料类
10?
10?
6?
17?
67?
资料来源:集微网,立鼎产业研究网,
随着大基金三期的成立,投资领域将进一步拓宽,增加对半导体产业链卡脖子环节的支持,随着人工智能和数字经济领域的加速发展,AI相关芯片、算力芯片等或成为大基金三期投资的新重点。大基金三期秉承“扶持中国芯片产业、推动国产化进程”的宗旨,加大对核心技术和关键零部件的投资力度。除了制造、设备和材料等细分领域,随着人工智能和数字经济领域的加速发展,AI相关芯片、算力芯片等或成为大基金三期投资的重点。
综上所述,大基金通过延长投资期限和优化投资布局,支持集成电路产业长期发展,这些投资不仅有助于提升产业链的整体竞争力,也为我国集成电路产业的持续创新和技术突破奠定了基础。
借鉴日韩成功经验,对我国的集成电路行业投资有何启示?
日本“产、官、学”体系突破美国技术封锁,半导体材料与设备厂商异军突起
日本“产、官、学”相互协作体系诞生,奠定了日本半导体产业竞争力基础。1976年,由日本通产省发起投资超大规模集成电路项目(简称VLSI项目),其下属相关实验室联合日立、三菱、富士通、东芝与日本电器五家企业,总计投资720亿日元成立共同研究所,一致研究基础性、通用性技术,其中六项课题为微精细加工技术、结晶技术、设计技术、工艺技术、检验评价与元件技术。
VLSI项目对于后续日本半导体行业的发展产生了重大的影响。VLSI项目结束于1980
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