SSt39vf6401中文手册_原创文档.pdf

单电压工作，读写操作工作电压范围：2.7-3.6V。

三种擦除方式：

1.扇区擦除（Sector-Erase：18ms）

2.块擦除（Block-Erase：18ms）

3.整芯片擦除（Chip-Erase：40ms）

注意：此芯片提供擦除延缓/擦除继续功能。

支持硬件复位功能。

对写操作完成的判断：

1.ToggleBits？（触发位）

2.Data#Polling（数据检测位）

该芯片提供典型的字编程，操作时间为7µｓ。使用前面提到过的两种方法进行

对写操作完成与否的判断。

芯片的操作：

使用命令字来初始化芯片的存储操作功能，命令字通过标准的微控制器写时

序来写进设备：在进行命令字写的时候，保持CE#为低电平，并使WE#脚为低

电平。地址总线在WE#或者CE#两者中任一在后面发生者的下降沿被锁存；数

据总线在WE#或者CE#两者中任一在前面发生者的上升沿被锁存。

芯片具有工作在自动低损耗的状态，它使得芯片当进行完一个有效的读操作

并且已经获取完数据后工作在一个准备（备用）的状态。当有任何地址跳变或者

控制信号跳变时，芯片立即退出此工作模式——自动低损耗（AutoLowPower）。

注意：当芯片上电后保持CE#为低电平的情况下其不进入此工作模式，直到第

一个地址跳变（transition）或者CE#变为高电平。

读操作：

读操作时，保持CE#（芯片选取端）和OE#（输出允许端）为低电平，当此

两引脚任一为高点平时，数据总线处于独立（高阻）状态。读循环时序见图3。

写（以字为单位）操作：

SST39VF6401/6402是基于字编程，在编程（写入）之前，必须先对将要写的

扇区进行全部擦除操作（即写1）。整个写入的完成分为三步：1.三字节的装载

时序为软件数据保护；2.装载地址（字）和数据（字）。在字编程（写入）操作

时，地址总线在CE#或者WE#任一后发生者的下降沿被锁存，而数据总线在CE#

或者WE#任一先发生者的上升沿被锁存；3.芯片内部的编程操作（不需我们管

的），此步骤在WE#或者CE#任一先发生的第四个上升沿开始。编程（写入）操

作一旦开始，将在10µｓ内完成。图4和图5为WE#和CE#的控制编程操作时序

图，图19为操作流程图。在编程操作过程中，仅仅对数据位（Data#Polling）和

触发位（ToggleBit）的读有效。在内部编程操作时（上述的第三步），主机

（SST39VF6401/6402）可以执行其他任务。但是，在进行内部编程时，任何命

令的发生的被忽略。

注意：在命令字时序中，WP#（写保护）必须保持高电平或者低电平。

图19编程软件流程图

写操作状态检测操作：

SST39VF6401/6402为了优化系统写循环时间，提供了两种方法来检测写（编程

或者擦除）循环的完成。软件检测包含两个状态位：Data#Polling（DQ7）和Toggle

Bit（DQ6）。在WE#的上升沿后（发起内部编程或者擦除操作），对写完成的检

测就被激活。

因为非易失性的写操作的真正完成与系统是异步的，所以Data#Polling或者

ToggleBit的读也许会与写完成的时序同时发生，这样一来，系统就会得到一个

错误的结果（伪拒绝），例如：有效的数据表现为与DQ7或DQ6发生冲突。为

了避免这种情况的出现，当一个错误产生了，我们在编写软件时应该对此访问地

址（也就是我们刚刚进行操作的那个地址）进行一个额外2个周期的循环读操作，

如果读依然有效，则说明设备已经确实完成了写循环，否则拒绝有效。

数据检测位（DQ7）：

当芯片在进行内部编程操作时，任何对该位的读都会使之呈“1”态的complement，

一旦编程操作完成，DQ7立即呈“1”态。注意，即使其紧随内部写操作完成立

即呈1态了，但是，其有可能接下来又变为无效态（可以认为为“0”态），因为

接下来的1µｓ内，在数据总线上还可能会出现有效的数据，这也就是如前面所

说，要对此位进行循环读操作；在内部进行擦除操作时，任何对DQ7的读为“0”，

一旦擦除完成，变为“1”态。

注意：对于正常编程（写入）操作，DQ7位在WE#