电子行业存储芯片周度跟踪：SK海力士加入4F+DRAM研发阵营，为Waymo自动驾驶独家供应HBM2E-240820.pdfVIP

电电子子

行业研究/行业周报

证SK海力士加入4F²DRAM研发阵营，为Waymo自动

券驾驶独家供应HBM2E

研——存储芯片周度跟踪（2024.08.12-2024.08.16）

究

报◼核心观点

告NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，2Q24NANDFlash/DRAM增持(维持)

市场营收排名出炉。根据DRAMexchange，上周（0812-0816）

行NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.77%至3.81%，平行业：电子

业均涨跌幅为-0.01%。其中7个料号价格持平，6个料号价格上涨，9个日期：yxzqdatemark

研料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，在AI服务器出货大幅增长2024年08月20日

究

的推动下，eSSD、DDR5RDIMM和HBM需求稳定提升，带动原厂分析师：陈宇哲

NANDFlash和DRAMASP逐季上涨。2024年全球存储市场规模的显

E-mail：chenyuzhe@yongxings

著增长，主要取决于上半年全面上涨的存储价格，以及服务器市场复

苏对服务器存储量价齐升带来的积极影响。

SAC编号：S1760523050001

DRAM：颗粒价格小幅波动，SK海力士加入4F²DRAM研发阵营。

根据DRAMexchange，上周（0812-0816）DRAM18个品类现货价格近一年行业与沪深300比较

环比涨跌幅区间为-2.84%至0.33%，平均涨跌幅为-0.54%。上周2个

电子沪深300

料号呈上涨趋势，16个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据10%

CFM闪存市场报道，SK海力士近日宣布，计划开发4F²DRAM。自2%

1cDRAM商业化以来，EUV工艺成本一直在快速上涨。SK海力士正-6%

在考虑为未来的DRAM制造引入垂直栅极(VG)或3DDRAM技术，-14%

采用VG或3DDRAM，可将EUV工艺成本降低一半。-22%

HBM：SK海力士为Waymo自动驾驶独家供应HBM2E。根据CFM-30%

行闪存市场报道，SK海力士已单独生产专门用于汽车用途的HBM2E，08/2310/2301/2403/2406/2408/24

业使其成为唯一一家将HBM商业化用于汽车的公司。HBM最初是为高资料来源：Wind，甬兴证券研究所

周性能计算(HPC)和数据中心开发的，现在正被应用于汽车，这反映了

报现代汽车应用日益增长的计算需求。我们认为，受益于AI不断发相关报告：

展，算力卡需求攀升，HBM产业链有望持续受益。《西部数据展示128TB企业级

市场端：渠道和行业SS