发光二极管主要参数与特性(精).pdfVIP

.word可编辑.

发光二极管主要参数与特性

LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件

的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强

指向特性、时间特性以及热学特性。

1、LED电学特性

1.1I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具

有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触

电阻，反之为高接触电阻

如左图：

⑴正向死

区：(图oa或

oa‘段)

a点对于V)

V

RJ1IIIIIl为开启电

]I亠

击反向死区工作区VFV压，当VvVa,

正向死区

穿_

区外加电场尚

克服不少因

载流子扩散

图.1.I-V特性曲线

而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs

为1V,红色GaAsP为1.2V,GaP为1.8V,GaN为2.5V。

(2)正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系

旳-1)1为反向饱和电

IF=I(eqVs

s

流。

0时，VVF的正向工作区lF随VF指数上升IF=ISeqVFKT

V

(3)反向死区：Vv0时pn结加反偏压

V=-V时，反向漏电流|(V=-5V)时，GaP为0V,GaN为10uA。

R

R

(4)反向击穿区Vv-VR,VR称为反向击穿电压；VR电压对应IR为反向漏

电流。当反向偏压一直增加使Vv-V时，贝卩出现I突然

RR

增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种