电工学第七版下电子技术第14章课件.pptVIP

14.5半导体三极管(a)NPN型晶体管；(b)PNP型晶体管CE发射区集电区基区集电结发射结NNP基极发射极集电极BCE发射区集电区基区P发射结P集电结N集电极发射极基极B基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大14.5半导体三极管符号NNCEBPCETBIBIEICBECPPNETCBIBIEIC14.5半导体三极管14.5半导体三极管14.5.2电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件BECNNP发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB从电位的角度看：NPN发射结正偏VBVE集电结反偏VCVBEBRBECRC14.5.2电流分配和放大原理2.各电极电流关系及电流放大作用mA?AVVmAICECIBIERB+UBE?+UCE?EBCEB3DG100晶体管电流放大的实验电路设EC=6V，改变可变电阻RB,则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，测量结果如下表：晶体管电流测量数据IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.950.0010.721.542.363.184.0514.5.2电流分配和放大原理(1)IE=IB+IC符合基尔霍夫定律(2)IC??IB，IC?IE(3)?IC???IB基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化---晶体管的电流放大作用。实质:用微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。------CCCS器件。mA?AVVmAICECIBIERB+UBE?+UCE?EBCEB3DG100(4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。+UBE?ICIEIBCTEB????+UCE?(a)NPN型晶体管；14.5.2电流分配和放大原理+UBE?IBIEICCTEB????+UCE?mA?AVVmAICECIBIERB+UBE?+UCE?EBCEB3DG100(b)PNP型晶体管(4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。14.5.2电流分配和放大原理3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。14.5.2电流分配和放大原理3.三极管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBO?ICE;ICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBO?IBEICE与IB之比称为共发射极电流放大倍数集－射极穿透电流,温度??ICEO?(常用公式)若IB=0,则IC?ICEO14.5.2电流分配和放大原理14.5.3特性曲线管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：(1)直观地分析晶体管的工作状态(2)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路测量