ASIC芯片设计生产流程课件.pptx

ASIC晶片開發過程;內容;主要流程框架;劃分

;劃分

;ASIC設計流程;ASIC開發流程中各步驟;傳統設計流程;設計的一般步驟;設計的一般步驟(2);設計的一般步驟(3);規範和ＲＴＬ編碼;動態仿真;約束、綜合和掃描插入;形式驗證;靜態時序分析;佈局、佈線和驗證;內容;CYIT提供如下檔:GDSII檔，物理驗證環境，物理驗證報告

生產廠家進行Merg

生產廠家提供物理驗證報告

CYIT確認和eviewjob;製造一塊IC晶片通常需要400到500道工序。但是概括起來說，它一般分為兩大部分：前道工序（front-endproduction）和後道工序（back-endproduction）。

[1]前道工序

(1)將粗糙的矽礦石轉變成高純度的單晶矽。

(2)在wafer上製造各種IC元件。

(3)測試wafer上的IC晶片

[2]後道工序

(1)對wafer劃片（進行切割）

(2)對IC晶片進行封裝和測試

;第一步矽棒的拉伸

將多晶矽熔解在石英爐中，然後依靠

一根石英棒慢慢的拉出純淨的單晶矽棒。

第二步切割單晶矽棒

用金剛石刀把單晶矽棒切成一定的厚度

形成WAFER（晶片、圓片）。

注：一片wafer上可以生產出很多顆裸晶片（die）,一般都上千顆;前道工序;第五步覆上光刻膠

通過旋轉離心力，均勻地在WAFER表面覆上一層光刻膠。

第六步在WAFER表面形成圖案

通過光學掩範本和曝光技術在WAFER表面形成圖案。

第七步蝕刻

使用蝕刻來移除相應的氧化層。

第八步氧化、擴散、CVD和注入離子

對WAFER注入離子（磷、硼），然後進行高溫擴散，形成各種集成器件。

第九步磨平（CMP）

將WAFER表面磨平。

;前道工序;第十二步切割WAFER

把晶片從WAFER上切割下來。形成一顆顆die

第十三步固定晶片

把晶片安置在特定的FRAME上

;第十三步連接管腳

用25微米的純金線將晶片和FRAME上的引腳連接起來。

第十三步封裝

用陶瓷或樹脂對晶片進行封裝。

;第十六步修正和定型（分離和鑄型）

把晶片和FRAME導線分離，使晶片外部的導線形成一定的形狀。

第十七步老化（溫度電壓）測試

在提高環境溫度和晶片工作???壓的情況下模擬晶片的老化過程，以去除發生早期故障的產品

第十八步成品檢測及可靠性測試

進行電氣特性檢測以去除不合格的晶片

成品檢測：

電氣特性檢測及外觀檢查

可靠性檢測：

實際工作環境中的測試、長期工作的壽命測試

注：FT測試，finaltest，也叫成測（終測），是指封裝過後的成品測試，測試專案主要也是針對器件功能，目的將封裝後的不良品剔除。Chip級

第十九步標記

在晶片上用鐳射打上產品名。