光生伏特效应及器件课件.pptVIP

第二节光电传感器2;;过程：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，如图，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大。;⑵光敏电阻

①光敏电阻的工作原理和结构;②光敏电阻演示;光电池的示意图;Date;光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态。;③光敏二极管的反向偏置接线（参考上页图）及光电特性演示;⑷光敏三极管

光敏三极管有PNP型和NPN型两种，如图。其结构与一般三极管很相似，具有电流增益,只是它的发射极一边做的很大,以扩大光的照射面积,且其基极不接引线。当集电极加上正电压,基极开路时,集电极处于反向偏置状态。当光线照射在集电结的基区时,会产生电子-空穴对,在内电场的作用下,光生电子被拉到集电极,基区留下空穴,使基极与发射极间的电压升高,这样便有大量的电子流向集电极,形成输出电流,且集电极电流为光电流的β倍。;集电结一边做得很大，以扩大光的照射面积，且基极一般不接引线。;普通三极管;光敏三极管

基区很薄，基极一般不接引线；

集电极面积较大。;光敏三极管外形;硅光敏晶体管的光谱特性