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碳化硅行业深度报告

新材料定义新机遇,SiC引领行业变革2022年10月08日

➢碳化硅:第三代半导体突破性材料。SiC是第三代半导体材料,其具备极好推荐维持评级

的耐压性、导热性和耐热性,是制造功率器件、大功率射频器件的突破性材料。

根据Wolfspeed预计,2022年全球碳化硅器件市场规模达43亿美元,2026

年碳化硅器件市场规模有望成长至89亿美元。当前SiC功率器件价格较高,是[Table_Author]

硅基IGBT的3~5倍左右,但凭借优异的系统节能特性,SiC器件开始在新能源

汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。

➢SiC引领行业变革,新需求快速涌现。新能源汽车是碳化硅功率器件下游第

一大应用市场,根据我们测算,2026年全球应用于新能源汽车主驱逆变器的SiC

器件市场规模有望达44亿美元。为了提升电动汽车充电速度、缓解里程焦虑,

小鹏、比亚迪、长城、保时捷、现代等整车厂陆续推出800V高压平台车型,有分析师方竞

望推动SiC器件在新能源汽车中渗透率进一步提升。执业证书:S0100521120004

邮箱:fangjing@

➢国际巨头垄断行业,国产厂商加速破局。当前全球SiC衬底总年产能约在

40~60万片等效6英寸,无法满足下游旺盛需求。根据Yole预测,随着衬底厂

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前Wolfspeed、II-IV、罗姆三家海外大厂占据了全球89%导电型衬底市场,意24

法半导体、英飞凌、安森美、Wolfspeed等六家海外大厂占据了全球99%碳化2.半导体零部件深度报告:国产替代核心部

硅功率器件市场,行业格局被海外大厂垄断,国内厂商正在加速破局。件,百舸争流加速崛起-2022/09/18

3.电子板块2022年二季度基金持仓分析:新

➢新需求带来新机遇,技术进步推动新未来。对于SiC衬底制造来说,PVT法能源电子接力成长,传统龙头静待拐点-2022

生长速率慢、制备难度大、晶锭良率低,因此产能提升较慢,但衬底制造各环节/07/25

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