半导体行业市场前景及投资研究报告：先进封装，芯片性能突破，AI浪潮，产业链成长.pdf

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证券研究报告|行业深度

电子

2024年09月06日

半导体先进封装助力芯片性能突破，

优于大市（维持）AI浪潮催化产业链成长

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投资要点：

先进封装：超越摩尔定律，助力芯片性能突破

“后摩尔时代”芯片特征尺寸已接近物理尺寸极限，通过先进封装提升芯片整体性

能或成为趋势。先进封装具有小型化、轻薄化、高密度、低功耗、功能集成的优势，

可广泛应用于AI、高性能计算、数据中心等新兴领域。先进封装包括四个关键要

素：凸块（Bump）、晶圆（Wafer）、重布线层（RDL）和硅通孔（TSV）技术：Bump

联通芯片与外部的电路，并能缓解应力；Wafer充当集成电路的载体；RDL连通

市场表现XY平面的上电路；TSV则贯通z轴方向上的电路。

半导体沪深300

12%CoWoS和HBM：相辅相成，AI芯片的绝佳拍档

6%

0%

-6%1）CoWoS：AI时代的先进封装版本答案。算力需求随大模型推出爆炸式提升，

-12%GPU等AI芯片深度受益。搭载硅中介层的CoWoS封装性能优异，适用于高性能

-18%

-24%

2023-092024-012024-05计算领域，目前已演进五代，不断增加其中介层面积以及内存容量（HBM）。随

-31%

-37%CoWoS封装供不应求，台积电不断上修产能预计，2024年底或达到月产4万片。

三星和英特尔已完成2.5D/3D封装布局，传统封测大厂加速进入CoWoS工艺段。

资料：聚源数据，德邦研究所

2）HBM：AI芯片的最佳显存方案。HBM堆叠多层DRAM提升内存容量和带宽，

打破内存墙限制，满足AI高性能动态存储需求。SK海力士官网、三星和美光竞争

相关研究

愈演愈烈，HBM向更大容量和更高带宽迭代，2024年下半年HBM3e预计将集中

1.《2024年中期报告点评-安路科技出货。随AI服务器出货暴涨以及GPU芯片的HBM用量提升，HBM需求高增。

（688107.SH）：终端需求疲软24Q2TrendForce预测，2024年HBM需求增长率接近200%，2025年可望将再翻倍。

业绩承压，库存持续改善静待春来》，

2024.9.2本土先进封装产业链：厚积薄发、加速成长

2.《寒武纪(688256.SH)：产品与生态

持续加强，AI应用方兴未艾》，1）刻不容缓：海外高性能芯片加强，AI芯片自主可控大势所趋。美国对高性

2024.9.1