吉林省蛟河市2023-2024学年物理高三上期末考试模拟试题含解析.docVIP

吉林省蛟河市2023-2024学年物理高三上期末考试模拟试题

注意事项：

1．答卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号、考场号和座位号填写在试题卷和答题卡上。用2B铅笔将试卷类型（B）填涂在答题卡相应位置上。将条形码粘贴在答题卡右上角条形码粘贴处。

2．作答选择题时，选出每小题答案后，用2B铅笔把答题卡上对应题目选项的答案信息点涂黑；如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案。答案不能答在试题卷上。

3．非选择题必须用黑色字迹的钢笔或签字笔作答，答案必须写在答题卡各题目指定区域内相应位置上；如需改动，先划掉原来的答案，然后再写上新答案；不准使用铅笔和涂改液。不按以上要求作答无效。

4．考生必须保证答题卡的整洁。考试结束后，请将本试卷和答题卡一并交回。

一、单项选择题：本题共6小题，每小题4分，共24分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1、如图所示为静止的原子核在匀强磁场中发生衰变后做匀速圆周运动的轨迹，衰变后两带电粒子a、b的半径之比为45∶1，两带电粒子a、b的动能之比为117：2，下列说法正确的是（）

A．此衰变为β衰变 B．大圆为β粒子的运动轨迹

C．小圆为α粒子的运动轨迹 D．两带电粒子a、b的周期之比为10∶13

2、竖直放置的肥皂膜在阳光照耀下，由于前后表面反射光通过的路程不同，形成两列相干光，薄膜上会呈现出彩色条纹．若一肥皂膜由于受重力和液体表面张力的共同影响，其竖直方向的截面如图所示，则光通过该肥皂膜产生的干涉条纹与下列哪个图基本一致（）

A． B．

C． D．

3、如图所示,在光滑水平面上,有质量分别为和的两滑块,它们中间夹着一根处于压缩状态的轻质弹簧(弹簧与不拴连),由于被一根细绳拉着而处于静止状态.当剪断细绳,在两滑块脱离弹簧之后,下述说法正确的是（）

A．两滑块的动量大小之比

B．两滑块的速度大小之比

C．两滑块的动能之比

D．弹簧对两滑块做功之比

4、如图所示，a、b、c、d为椭圆的四个顶点，一带电量为＋Q的点电荷处在椭圆的一个焦点上，另有一带负电的点电荷仅在与+Q之间的库仑力的作用下沿椭圆运动，则下列说法中正确的是（）

A．负电荷在a、c两点的电势能相等

B．负电荷在a、c两点所受的电场力相同

C．负电荷在b点的速度小于在d点速度

D．负电荷在b点的电势能大于在d点的电势能

5、如图所示为一理恕变压器，其中a、b、c为三个额定电压相同的灯泡，输入电压u=Umsin100πt(V)．当输入电压为灯泡额定电压的8倍时，三个灯泡刚好都正常发光．下列说法正确的是（）

A．三个灯泡的额定电压为Um/8

B．变压器原、副线圈匝数比为9︰2

C．此时灯泡a和b消耗的电功率之比为2︰7

D．流过灯泡c的电流，每0.02s方向改变一次

6、如图甲所示电路，理想变压器原线圈输入电压如图乙所示，副线圈电路中R0为定值电阻，R是滑动变阻器，C为耐压值为22V的电容器，所有电表均为理想电表。下列说法正确的是（）

A．副线圈两端电压的变化频率为0.5Hz

B．电流表的示数表示的是电流的瞬时值

C．滑动片P向下移时，电流表A1和A2示数均增大

D．为保证电容器C不被击穿，原副线圈匝数比应小于10：1

二、多项选择题：本题共4小题，每小题5分，共20分。在每小题给出的四个选项中，有多个选项是符合题目要求的。全部选对的得5分，选对但不全的得3分，有选错的得0分。

7、真空中质量为m的带正电小球由A点无初速自由下落t秒，在t秒末加上竖直向上、范围足够大的匀强电场，再经过t秒小球又回到A点。小球电荷量不变且小球从未落地，重力加速度为g。则

A．整个过程中小球电势能变化了

B．整个过程中小球速度增量的大小为

C．从加电场开始到小球运动到最低点时小球动能变化了

D．从A点到最低点小球重力势能变化了

8、下列说法正确的是________。

A．利用单摆测重力加速度实验中，小球的质量不需要测量

B．在光导纤维束内传送图像是利用光的衍射现象

C．泊松亮斑是光透过圆盘形成的衍射现象

D．用标准平面检查光学平面的平整程度是利用光的干涉现象

E.潜艇利用声呐探测周围物体的分布情况，用的是波的衍射原理

9、如图所示，一长L=1m的水平传送带以v1=2m/s的恒定速率沿顺时针方向转动，传送带右端有一与传送带等高的光滑水平面，一质量m=4kg的物块以v

A．经过t=1s

B．经过t=2s

C．在t时间内传送带对物块做的功为-4J

D．在t时间内由于物块与传送带间摩擦而产生的热量为16J

10、关于热现象和热力学定律，下列说法正确的是

A．一定质量100℃的水变成100℃的水蒸气，其分子势能一定增加

B．布朗运动是指悬浮在液体中的花粉分子的无规则热运动

C．在一定条件下，可以利用分子扩散向半导体材料