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半导体集成电路考试题目与参考答案--第1页

第一部分考试试题

第0章绪论

1.什么叫半导体集成电路？

2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？

3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？

4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类

5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？

6.名词解释：集成度、wafersize、diesize、摩尔定律？

第1章集成电路的基本制造工艺

1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？

2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？。

3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？

4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？

5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？

6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。

7.请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。

8.请画出CMOS反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子。

第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应

1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。

2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？

3.什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

4.什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?

5.消除“Latch-up”效应的方法？

6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？

7.如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？

第3章集成电路中的无源元件

1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？

2.集成电路中常用的电容有哪些。

3.为什么基区薄层电阻需要修正。

4.为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。

5.运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为

20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。

第4章TTL电路

1.名词解释

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电压传输特性开门/关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流

静态功耗瞬态延迟时间瞬态存储时间瞬态上升时间瞬态下降时间

瞬时导通时间

2.分析四管标准TTL与非门（稳态时）各管的工作状态？

3.在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。

4.两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改

善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。

5.相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的。

6.画出四管和六管单元与非门传输特性曲线。并说明为什么有源泄放