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快速找引晶温度简介

目的:缩短拉晶时间,降低生产成本,提高公司效益.

目前现状:提盖子后炉内温度比较低,引晶温度不好找或找引晶温度时间较长

期望:提盖子后能够快速(30分钟内)找到引晶温度,引出高质量的单晶,达到三段

式引晶效果。

提盖子是在较低温度下进行,盖子提出后炉内温度一般比较低,为了能够快速找到

引晶温度节省时间和成本,同时能引出高质量的单晶(三段式引晶)。测完电阻

后，进行如下操作后，能够快速找到合适的引晶温度，而且适合三段式引晶规格。

具体操作:

1、提盖子后，将功率升高至引晶功率以上3—5kw，将埚转降至2转，埚位

升到引晶埚位，将籽晶按照工艺要求降至离液面3—5mm对籽晶进行预热。

2、等待几分钟后，看热场测量值与本炉引晶时设定值的差值，当差值较小时

（4--6sp），此时可以降籽晶至熔硅中，进行熔接。当籽晶周围逐渐

出现光圈，然后光圈变圆，这时，就说明此时温度已经达到引晶的要求。

3、待熔接好后，逐渐升高埚转（升至引晶时的埚转，五分钟内完成），然后

将功率降到比本次引晶功率低1-2kw，待籽晶光圈周围出现4个点时，直

接点“手动引晶”工艺流程，进行手动引晶即可。

此方法的好处：

1、节约调温时间

2、高温熔接

3、高温时升埚转降温，可以达到开始低拉速，中途高拉速，引晶后期为低拉

速，符合三段式引晶。

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附：相关炉台试验数据介绍

以上为定性说明此操作，下面是晶体编号为SG0909098-4采用

此操作后的一些相关数据和图片介绍。

相关数据：

晶体编号放盖子测电阻时间隔离时间副室净化时间切换手动时间

0909098-415：0015：1115：1815：26

手动引晶时间调温时间引晶时间放肩成功率

15：50394616：36一次成功

以上数据为炉台生长记录中数据，具体见下列图片所示。本炉晶体的

调温时间从放盖子后隔离时进行计时，从上述数据看，本次调温时间

为39分钟。

下图为相关图片：

1、下图为提盖子后副室隔离及引晶时的生长记录

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2、此图为引晶时晶体生长速率曲线数据

从此图中可以看出，晶体拉速出现三个高峰区，在引晶后期引晶拉速

有比较明显的降低，说明此时的热场温度比较高，进而在进行放肩时

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不容易放飞。

3、下图为按照此方法引出的细颈外观质量

4、本炉晶体引晶一次成功，具体晶体图片未进行记录。下图为本

炉拉晶记录单。

以上数据不足之处在于没有拍摄引晶调温时的埚转和加热器功率调

节操作。

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