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附件1

“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”

国家科技重大专项

2013年度课题申报指南

二○一二年五月

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1.项目任务：22/20nm先导产品工艺开发

项目编号：2013ZX02302

项目类别：工艺研发与产业化

项目目标：基于专项“十一五”支持的22纳米关键工艺项目的

成果与进展，进入12英寸生产线上开发22/20nm低功耗先导产品工

艺。（1）实现2-3种引导产品的成功开发，良率达到50%以上，集成

度达到4×109/cm2；（2）研发关键设备和材料（刻蚀机、ALD、颗

粒检测等）并在工艺研发中得到应用和集成;（3）研究开发新结构器

件模块、高k/金属栅工艺模块、源漏工艺模块及STI模块，低温选择

性SiGe外延技术、浸没式双曝光、超低k（2.5）材料相关工艺；（4）

完成整个工艺模块的集成和模型开发；（5）联合设计用户共同开展研

发，建立完整的设计单元库、模型参数库和IP库，形成完善的产品

设计服务体系；（6）完成可制造性设计解决方案；（7）完成针对

22/20nm产品工艺技术的知识产权分析，建立知识产权共享机制。

2014年先导产品流片成功，可实现成套工艺的产业化转移及引导产

品的生产，能够提供后续的工艺支持与服务，保障终端用户量产规模

的持续提升。

项目承担单位要求：主承担单位要求是大型的集成电路制造企

业，联合十一五“22nm关键工艺先导研究”的产学研联合体及专项

先导技术研发中心承担。

组织实施方式：公开发布指南

资金来源：中央：地方：企业=1:0.5:0.5

执行期限：2013-2014

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2.项目任务：16/14nm关键工艺研究

项目编号：2013ZX02303

项目类别：工艺研发与产业化

项目目标：在专项“十一五”22nm关键工艺项目研发成果的基

础上，开展16/14nm及以下技术代集成电路的关键核心技术研究，取

得自主知识产权。（1）研究面向16/14nm及以下技术代的新型器件结

构及相关模型，如TFET、FinFET、SGT、GAA等；（2）研究关键工

艺技术，如刻蚀工艺及硅表面处理、离子注入、阈值电压调整、超薄

栅介质与金属栅等；（3）研究新型互连结构和互连工艺；（4）研究新

概念的有产业化前景的新型存储器；（5）研究实现16/14nm技术节点

的光刻技术途径；（6）研究设计与工艺的协同实现技术；（7）针对

16/14nm及以下先导工艺技术的知识产权及技术发展战略开展分析

研究，建立知识产权共享机制；（8）同步支持16/14nm装备和材料的

研发和应用，促进先进装备、材料与工艺的协同创新。（9）整合现有

资源，筹建国家集成电路先导技术研发中心。

项目承担单位要求：主承担单位要求是“十一五”22nm关键工

艺研发的参与单位，组织产学研联盟联合承担项目。

组织实施方式：公开发布指南

资金来源：中央：地方=1:0.5

执行期限：2013-2015