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高功率脉冲磁控溅射技术沉积Zn薄膜中粒子反应的参数研究
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高功率脉冲磁控溅射技术沉积Zn薄膜中粒子反应的参数研究
摘要
采用高功率脉冲磁控溅射技术可以制备性能优异的含锌薄膜，但目前对高功率脉冲磁控溅射技术的放电特性的研究和理解还处于不完善阶段，再加上放电过程中可调实验参数的种类、范围极广，使得制备过程相当繁琐，费时费力。为了更加方便、快捷的研究高功率脉冲磁控溅射技术放电特性，找到最佳实验参数范围，从而制备出性能优良的含Zn半导体薄膜，可以采用更有效的数值模拟的方法，为实际应用给出理论指导、为实验结果作出可靠预测。本研究作为整个模型的重要基础，需要查阅大量文献资料，搜集
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