存储器实验报告总结.pdf

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存储器实验报告总结--第1页

存储器实验报告总结

存储器实验报告

一、实验设计方案

实验框图

文字说明

实验原理:实验原理框图如图实验原理图所示,原理框图中的

地址计数器PC可以接收数据开关产生数据,该数据作为地址信息

发送到总线;也可以自动加1计数(用于连续读/写操作)产生地

址信息。地址寄存器AR,存放即将访问的存储单元的地址。两

组发光二极管显示灯中一组显示存储单元地址;另一组显示写入

存储单元的数据或从存储单元读出的数据。写入存储器的数据是

由二进制开关设置并发送到总线上的。

存储器芯片中有片选信号menmenab,其值为1时则RAM被选

中,可以对其进行读/写操作,反之则RAM未被选中,不能对其

进行读写操作。存储器芯片还有两个读/写控制端(RD、WE);片

选信号有效

(menmenab=1)以及时钟信号到达的情况下,WE=1,RD=0,

则存储器进行写操作;反之,WE=0,RD=1,则存储器进行读操作。

一、功能验证

1:a)实验仿真波形图:

b)参数设置

EndTime:2us

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GridTime:40ns

c)初始数值设置

sw_bus:1

Pc_bus:1

menmenab:1

we:0

rd:0

Ldar:0

Pcclr:1

Pcld|pcen:00

input[7..0]:00

Arout[7..0]:00

d)信号功能描述及属性

sw_bus:作为使能端控制数据的输入。

Pc_bus:控制地址数据输出到总线和地址寄存器。

menmenab:存储芯片的片选信号。

we:写操作控制信号。

rd:读操作控制信号。

Ldar:控制地址寄存器中的数据传入RAM的控制信号。

Pcclr:地址数据的清零信号,当其值为0时地址

清零。

Pcld|pcen:01时,将总线上的数据传入PC,

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11时,pc=pc+1;地址计数自动加1。

input[7..0]:地址数据输入端。

Arout[7..0]:寄存器输入RAM的地址数据。

e)波形说明和操作步骤

1)0-80ns:进行初始化

Sw|pc_bus:11:数据输入到总线的开关关闭,进入地址寄存器的

控制开关关闭。

M|w|r:100:此时不执行读写操作。

Ldar:0:地址总线装载入RAM的开关关闭。

Pc_clr|ld|en:100:清零控制关闭,装载入PC的控制端关闭,

PC使能端无效。

Input[7..0]:00

D~result:ZZ

Arout[7..0]:01

2)80-160ns

Sw|pc_bus:01:数据输入到总线的开关开启,输入的数据进入总

线,进

入地址寄存器的控制开关关闭。

M|w|r:100:此时不执行读写操作。

Ldar:0:地址总线装载入RAM的开关关闭。

Pc_clr|ld|en:101:清零控制关闭,装载入PC的控制端关闭,

PC使能端有效。

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存储器实验报告总结--第4页

Input[7..0]:01

D~result:01

Arout[7..0]:00

3)160-240ns

Sw|pc_

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