半导体名词解释.pdf

半导体名词解释--第1页

______________________________________________________________________________________________________________

1.何谓PIE?PIE的主要工作是什幺?

答：ProcessIntegrationEngineer(工艺整合工程师),主要工作

是整合各部门的资源,对工艺持续进行改善,确保产品的良率（yield）稳定良好。

2.200mm，300mmWafer代表何意义?

答：8吋硅片(wafer)直径为200mm,直径为300mm硅片即

12吋.

3.目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北

京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？

答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer,工艺水平已达

0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。

4.我们为何需要300mm?

答：wafersize变大，单一wafer上的芯片数(chip)变多，单

位成本降低

200→300面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍

5.所谓的0.13um的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？

答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13um的栅极线宽。当栅

极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。

6.从0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um的technology改变又代

表的是什幺意义？

答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）

做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um-0.25um-0.18um-

-可编辑修改-

半导体名词解释--第1页

半导体名词解释--第2页

______________________________________________________________________________________________________________

0.15um-0.13um代表着每一个阶段工艺能力的提升。

7.一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓N,

P-typewafer?

答：N-typewafer是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例

如：P、As)的硅片,P-type的wafer是指掺杂positive元素(3价电荷元素,例

如：B、In)的硅片。

8.工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？

答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光

刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离

子注入)、RTP(快速热处理)。