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模拟电子电路例题_半导体器件例题：

1.电路如例图（a）所示。当开关S分别在“1”和“2”时，问哪一个位置的Ic较大，哪一个位置的

集电极与发射极之间的耐压较高，为什么？

（a）(b)

[解]：S置于“1”时，发射结被短路，这时的Ic为集电结反向饱和电流；C、E极间的耐

压为。S置于“2”时，基极开路，Vcc被集电结和发射结分压，使发射结正向偏置、集电

结反向偏置，此时的；C、E极间耐压为。故S置于位置“2”是

的Ic较大；在位置“1”时，管子集电极与发射极间的耐压较高。

分析：S置于“2”时，晶体管内部的载流子分配关系如例图（b）所示。V在两个“结”上分

cc

压，使发射结（J）正就偏、集电结（J）反偏。从发射区扩散到基区的多子中，有一部分在基

EC

区复合形成电流，大部分飘移到集电区，形成，即。集电结还有少子漂移电流，

由于IB=0，故=，。

2．测得各晶体管在无信号输入时,三个电极相对于地的电压如例图三所示。问哪些管子工作于

放大状态，哪些处于截止、饱和、倒置状态，哪些管子已经损坏？

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[解]

工作于放大状态时，晶体管的发射结正向偏置、集电结反向偏置。故图（b）、（e）、（g）

中的晶体管工作于放大状态。

晶体管的发射结和集电结均处于正向偏置时，工作于饱和状态。本题中的图（d）、（f），

其晶题管处于饱和状态。

晶体管的发射结和集电结均处于反向偏置时，工作于截止状态。本题的图（a）中晶体管工

作于截止状态。

图（c）中的晶体管工作于倒置状态，因为它的发射结被反向偏置，集电结被正向偏置。

图（h）中的晶体管，其V＝2.7V，已远大于硅NPN型晶体管发射结正向偏置时的电压，

BE

故该管已损坏。

分析：1）发射结与集电结的偏置情况是判断管子工作状态的依据；2）发射结正向偏置时，

VV

硅管和锗管的|BE|分别约为0.6～0.8V和0.2～0.4V。当发射结正向偏置、且|BE远远大于这一|

范围时，管子发射极与基极间已开路，而|V|＝0时，两个电极间已短路，管子均可能已经损坏。

BE

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RRRRVβ

1.已知如图所示，1＝10kΩ,2＝51kΩ,c＝3kΩ,e＝500Ω,cc＝12V,3DG4的＝30。

IIV

（1）计