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1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)

2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子

3.Acid：酸

4.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号

放大）

5.Alignmark(key)：对位标记

6.Alloy：合金

7.Aluminum：铝

8.Ammonia：氨水

9.Ammoniumfluoride：NH4F

10.Ammoniumhydroxide：NH4OH

11.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）

12.Analog：模拟的

13.Angstrom：A（1E-10m）埃

14.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）

15.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样

下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要

求一定时间后的失效率）

16.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的

光刻）

17.Argon(Ar)氩

18.Arsenic(As)砷

19.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷

20.Arsine(AsH3)

21.Asher：去胶机

22.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）

23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发

到环境中后，又回掺到外延层）

24.Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）

25.Baseline：标准流程

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26.Benchmark：基准

27.Bipolar：双极

28.Boat：扩散用（石英）舟

29.CD：（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常

指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。

30.Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺

所有特性的一个方形区域。

31.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化学机械抛光法。一种

去掉圆片表面某种物质的方法。

32.Chemicalvapordeposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过

化学反应生成一层薄膜的工艺。

33.Chip：碎片或芯片。

34.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机

控制和监控制造工艺的一种综合方式。

35.Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一

定功能的技术。

36.Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特

殊要求的特定区域。

37.Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质

或向N型掺入受主杂质。

38.CMOS：complementarymetaloxidesemic