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2）耗尽型N沟道MOSFETSGDBSio2绝缘层中掺入正离子在uGS=0时已形成沟道；在DS间加正电压时形成iD，uGS?UGS(off)时，全夹断。输出特性uGS/ViD/mA转移特性IDSSUGS(off)夹断电压饱和漏极电流当uGS?UGS(off)时，uDS/ViD/mAuGS=?4V?2V0V2VOO3）P沟道MOSFET增强型耗尽型SGDBSGDBN沟道增强型SGDBiDP沟道增强型SGDBiD2–2OuGS/ViD/mAUGS(th)SGDBiDN沟道耗尽型iDSGDBP沟道耗尽型UGS(off)IDSSuGS/ViD/mA–5O5FET符号、特性的比较OuDS/ViD/mA5V2V0V–2VuGS=2V0V–2V–5VN沟道结型SGDiDSGDiDP沟道结型uGS/ViD/mA5–5OIDSSUGS(off)OuDS/ViD/mA5V2V0VuGS=0V–2V–5V项目五——场效应管参数及使用主讲：赵媛项目5场效应管参数及使用内容：场效应管的主要参数和使用注意事项。学习要求：目的：了解场效应管的主要参数，理解其使用注意事项。重点：场效应管主要参数。难点：场效应管主要参数。场效应管1.场效应管主要参数2.场效应管与晶体管的比较3.场效应管使用注意事项1.场效应管的主要参数1）开启电压UGS(th)(增强型)夹断电压UGS(off)(耗尽型)指uDS=某值，使漏极电流iD为某一小电流时的uGS值。UGS(th)UGS(off)2）饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应管，当uGS=0时所对应的漏极电流。IDSSuGS/ViD/mAOUGS(th)UGS(off)3）直流输入电阻RGS指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。JFET：RGS107?MOSFET：RGS=109?1015??IDSSuGS/ViD/mAO4）低频跨导gm反映了uGS对iD的控制能力，单位S(西门子)。一般为几毫西(mS)uGS/ViD/mAQOPDM=uDSiD，受温度限制。5）漏源动态电阻rds6）最大漏极功耗PDM2.场效应管与晶体管的比较管子名称晶体管场效应管导电机理利用多子和少子导电利用多子导电控制方式电流控制电压控制放大能力较低高直流输入电阻小约几kΩ大JFET可达107Ω以上,MOS可达1010Ω稳定性受温度和辐射的影响较大温度稳定性好、抗辐射能力强噪声中等很小结构对称性集电极和发射极不对称，不能互换漏极和源极对称，可互换使用适用范围都可用于放大电路和开关电路等3.场效应管使用注意事项1）在使用场效应管时，要注意漏源电压UDS、漏源电流ID、栅源电压UGS及耗散功率等值不能超过最大允许值。2）场效应管从结构上看，漏源两极是对称的，可以互相调用，但有些产品制作时已将衬底和源极在内部连在一起，这时漏源两极不能对换用。3）注意各极电压的极性不能接错。特别强调：绝缘栅型场效应管的栅源两极绝不允许悬空，因为栅源两极如果有感应电荷，就很难泄放，电荷积累会使电压升高，而使栅极绝缘层击穿，造成场效应管损坏。因此要在栅源间绝对保持直流通路，保存时务必用金属导线将三个电极短接起来。在焊接时，烙铁外壳必须接电源地端，并在烙铁断开电源后再焊接栅极，以避免交流感应将栅极击穿，并按S、D、G极的顺序焊好之后，再去掉各极的金属短接线。项目五——场效应管放大电路分析（第4讲）主讲：赵媛项目5场效应管放大电路分析（第4讲）内容：自给栅、分压式稳定偏置电路结构和静态分析以及共源场效应管放大电路的动态分析。学习要求：目的：了解自给栅、分压式稳定偏置电路结构，掌