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商少明9.3离子键理论

9.3离子键理论9.3.1离子键理论9.3.1离子键理论9.3.1离子键理论9.3.1离子键理论9.3.2典型的AB型离子晶体9.3.2典型的AB型离子晶体9.3.2典型的AB型离子晶体9.3.2典型的AB型离子晶体9.3.3离子的极化9.3.3离子的极化9.3.3离子的极化9.3.3离子的极化9.3.3离子的极化9.3.3离子的极化9.3.3离子的极化9.3.4晶格能9.3.4晶格能9.3.4晶格能*9.3.1离子键理论9.3.2典型的AB型离子晶体9.3.3离子极化9.3.4晶格能返回章下节上节.1.离子键:-+++--.(1)形成:休息(2)本质:静电引力.(3)特征:①无方向性:②无饱和性:离子电场球形对称;离子电场力无方向性.-+2.离子的特征:(1)电子构型(ionicelectronconfiguration):所有简单阴离子:8电子构型,如F-、Cl-、S2-等.休息阳离子电子构型较复杂.(2)离子半径(ionicradius):d=r++r-+-变化规律(pm):①同元素离子:Z↑,r±↓②同周期不同元素离子:③同族元素Z相同的离子:Z↑,r±↓周期数↑,r±↑7休息目录阳离子电子构型:289~171818+21s2ns2np6ns2np6nd1~9ns2np6nd10(n-1)s2(n-1)p6(n-1)d10ns2Li+,Be2+Na+,Mg2+,Al3+,Sc3+Cr3+,Mn2+,Fe2+,3+,Cu2+Cu+,Zn2+,Cd2+,Hg2+Sn2+,Pb2+,Sb3+,Bi3+电子构型外电子层电子排布式实例.晶体内(或分子内)某一个粒子周围最接近的粒子数目.1.特征:规则:阴阳离子相互接触稳定,配位数大稳定.配位数:++++5休息①NaCl型:配位比:6:62.结构类型与离子堆积规则:晶格:面心立方NaBr、KI、LiF、MgO等.晶格:简单立方②CsCl型:配位比:8:8CsBr、CsI、TlCl等.晶格:面心立方③ZnS型(立方型):配位比:4:4例:BeO、ZnO、HgS等.休息配位数为6:6的晶体:④离子堆积规则:可解得:++++abc半径比定则:配位数和离子半径比值的对应关系.休息离子半径比与配位数的关系:休息目录1.离子的极化:未极化的简单离子离子在外电场中:离子在外电场作用下产生诱导偶极的过程.休息离子极化的强弱主要取决于离子的极化力以及离子的变形性.2.离子的极化力:离子的极化力:某离子使异电荷离子产生变形的能力.主要影响因素:①Z;②r;③离子的电子构型.休息一般来说:Z↑,r+↓,极化力↑.Z相同,r+相近,与电子构型有关:18,(18+2)以及2电子构型具强极化力.如Cu+,Pb2+,Li+等.8电子构型离子极化力最弱.如Na+,Ca2+等.其它电子构型极化力中等.休息离子在外电场作用下,外层电子与核发生相对位移的性质.也用极化率衡量.主要取决于离子半径的大小.①r相近,但电荷不同时:负离子:Z-大,?大;正离子:Z+大,?小.②r相近,Z相同时,与电子构型有关.3.离子变形性::4.一般规律休息①r-相同时,Z+越大,阴离子越易被极化;.②Z+相同时,r+越大,阴离子越不易被极化;③Z+相同,大小相近时,r-↑越易被极化;④附加极化作用:离子晶体中,每个离子总极化力是离子固有极化力与附加极化力之和.5.对物质结构和性质影响:休息①键型以及晶型:②性质:键的极性极化作用增强减小如对卤化银物理性质的影响.休息AgFAgClAgBrAgI物理性质变化键型晶体类型溶解度化