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题
目
互补型隧穿场效应反相器的工艺仿真研究
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摘要
随着半导体技术的快速发展，器件的尺寸已经进入纳米级别，传统的半导体技术对于低功耗器件的需求日益严重，功耗与性能之间的矛盾越来越严重。器件的尺寸缩小使集成电路的制造面临许多难题，而隧穿场效应晶体管(TFET)作为一种新型低功耗器件，由于其工作原理是带带隧穿，可以减小TFET器件的工作电压，降低器件的功耗，其工艺制造的步骤也与MOSFET由许多共通点，使TFET有着广阔的发展前景。
本文正是围绕着TFET具有更低的亚阈值摆幅，将TFET的隧穿原理运用于互补型反
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