第六章-电子技术基础知识.pptVIP

第一节半导体基础及二极管

第二节三极管

第三节共发射极放大电路;１．掌握半导体基础知识及二极管工作原理；

２．掌握三极管工作原理；

３．了解基本放大电路分析；

４．了解静态工作点的稳定。;一、半导体及其导电性能

１．半导体及主要特性

能够导电的物体就是导体；不能导电的物体就是绝缘体；导电性能介于导体和绝缘体之间的物体就是半导体。

纯净半导体的特点。

（１）纯净的半导体具有热敏性和光敏性的特点，当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。

（２）纯净的半导体在掺入微量的杂质，使半导体的导电性显著提高，这就是半导体的掺杂特性。;２．PN结的形成及其单向导电性

（１）PN结的形成;（２）PN结的单向导电性;二、二极管

１．二极管的符号、结构和类型

二极管本质上就是一个 PN结。

二极管按结构分为点接触型、面接触型两大类。按制造材料分，常用的有硅二极管和锗二极管，其中硅二极管的稳定性比锗二极管好得多；按用途分有整流二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管等。;二极管的外形、结构和符号

ａ）外形ｂ）结构ｃ）符号;２．二极管的伏安特性

二极管的伏安特性是指通过二极管的电流与其两端电压之间的关系。;３．二极管的参数及使用

（１）二极管主要参数

（２）二极管的选用原则;半导体三极管又称为双极型三极管或晶体三极管，简称三极管。

一、三极管的结构、符号和类型

１．结构

按照基区是N型和P型半导体，可以将三极管分为NPN和PNP两种组合形式，三极管的结构概括为三区、两结、三电极。;（1）三区

分别叫作发射区、基区和集电区。

（2）两结

叫作发射结和作集电结。

（3）三电极

它是指发射区、基区和集电区引出的发射极e、基极b、集电极c。;２．类型及型号;具体三极管型号的含义见表。;二、三极管的电流放大作用

１．三极管的结构特点

（１）发射区的掺杂浓度相当大，远大于基区的掺杂浓度。

（２）基区非常薄（约为几微米），同时掺杂浓度较小，形成的基极电流也很小，一般为微安级。

（３）集电区掺杂浓度较小，集电结面积远比发射结的面积大，可以接受来自发射区并通过基区的载流子，而形成电流。

三极管在一定的外部条件下就具有了电流的放大作用。;２．三极管的电流放大作用

为了使三极管具有正常的电流放大作用，应该在发射结上加上正向偏置电压，在集电结上加上反向偏置电压。

（１）三极管的电流分配关系

（２）三极管的电流放大作用

（３）三极管的穿透电流在没有基极电流的情况下，会有集电极电流产生，称为集电极—发射极反向饱和电流ICEO，也叫作穿透电流。;三、三极管的特性曲线

１．输入特性曲线

三极管的输入特性曲线是指将三极管的集电极和发射极之间的电压UCE保持一定，加在基极和发射极之间的电压UBE和基极电流IB之间的关系曲线。;２．三极管的输出特性曲线

三极管的输出特性曲线是指保持三极管的基极电流IB一定，三极管集电极电流IC和集电极电压UCE之间的关系曲线。;四、三极管的主要参数

１．电流放大参数

（１）直流电流放大系数hFE

（２）交流电流放大系数β

２．极间反向电流

（１）集电极—基极间反向饱和电流ICBO

（２）集电极—发射极间的反向饱和电流ICEO;３．极限参数和三极管的安全工作区

（１）集电极—最大允许电流ICM

（２）集电极—发射极反向击穿电压U(BR)CEO

（３）集电极最大允许功率损耗PCM

三个极限参数，体现出三极管的安全工作区。;一、基本放大电路简介

１．共发射极连接方式

２．共基极连接方式

３．共集电极连接方式;二、共发射极电路的基本组成

１．三极管

２．基极偏置电阻Rb

３．集电极电源ECC

４．耦合电容C1和C2

５．集电极电阻RC

６．基极偏置电压;共发射极基本放大电路;三、共发射极放大电路的工作原理

放大过程如图所示。;四、静态工作点对放大电路的影响

１．静态工作点对电路的影响

静态工作点就是指放大电路没有输入信号时，三极管各极电流（IB、IC、IE）和极间电压（UBE、UCE）的数值（通常取的数值是IB、IC和UCE的值）。

静态工作点的合适与否，直接影响着放大电路的性能和效果。调整基极偏置电阻Rb就可以对静态工作点进行调整。;２．静态工作点的检测和调整

对其静态工作点进行必要的检测和调整。其具体步骤如下。

（１）接通电源，用万用表测量电源电压是否符合要求，如有偏差应进行调整。

（２）将电阻RC与三极管集电极之间的连线断开，将万用表串接其中，用万用表直流电流挡检测集电极电流IC。

（３）若静态工作电流IC太大，可更