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德州科技职业学院机电系14级机电专业5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）

期末考试试题

《电力电子技术》试卷

6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）

题号一二三四合计

A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO

分数

7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）

A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO

8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）

阅卷人得分

A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO

9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）

一、选择（每题1.5分，共60分）

A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO

1、晶闸管内部有（）个PN结。

10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）

A、1B、2C、3D、4

A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO

2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。

11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）

A、越大B、越小C、不变D、越稳定

A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体

3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

管

A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值

12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作

4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。

A、直流B、低频C、中频D、高频

A、一个B、两个C、三个D、四个

-可编辑修改-