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海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范

V2.0

海思消费类芯片可靠性测试技术总体规范V2.0是针对芯

片可靠性测试的总体规范要求，包括电路可靠性和封装可靠性。

该规范适用于量产芯片验证测试阶段的通用测试需求，并能够

覆盖芯片绝大多数的可靠性验证需求。本规范描述的测试组合

可能不涵盖特定芯片的所有使用环境，但可以满足绝大多数芯

片的通用验证需求。该规范规定了芯片研发或新工艺升级时，

芯片规模量产前对可靠性相关测试需求的通用验收基准。这些

测试或测试组合能够激发半导体器件电路、封装相关的薄弱环

节或问题，通过失效率判断是否满足量产出口标准。

在芯片可靠性测试中，可靠性是一个含义广泛的概念。以

塑封芯片为例，狭义的“可靠性”一般指芯片级可靠性，包括电

路相关的可靠性（如ESD、Latch-up、HTOL）和封装相关的

可靠性（如PC、TCT、HTSL、HAST等）。但是芯片在应用

场景中往往不是“独立作战”，而是以产品方案（如PCB板上

的一个元器件）作为最终应用。因此广义的“可靠性”还包括产

品级的可靠性，例如上电温循试验就是用来评估芯片各内部模

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块及其软件在极端温度条件下运行的稳定性。产品级的可靠性

根据特定产品的应用场景来确定测试项和测试组合，并没有一

个通用的规范。本规范重点讲述芯片级可靠性要求。

本规范引用了JESD47I标准，该标准是可靠性测试总体

标准。在芯片可靠性测试中，测试组合通常以特定的温度、湿

度、电压加速的方式来激发问题。本规范还新增了封装可靠性

测试总体流程图和测试前后的要求，并将《可靠性测试总体执

行标准（工业级）》.xlsx作为本规范的附件。

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本规范旨在规范海思消费类芯片的可靠性测试技术，确保

其性能和质量符合要求。以下是通用芯片级可靠性测试要求的

详细介绍。

2.通用芯片级可靠性测试要求

2.1电路可靠性测试

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电路可靠性测试是对芯片在不同应力条件下的可靠性进行

评估的过程。在测试过程中，需要按照以下要求进行测试：

HTOL：在高温条件下进行测试，温度不低于125℃，

Vcc不低于Vccmax。

ELFR：早期故障率测试，按照ELFR表进行测试。

LTOL：在低温条件下进行测试，温度不高于50℃，Vcc

不低于Vccmax。

HTSL：高温存储寿命测试，温度不低于150℃。

ED：数据手册中的要求，分为I类和II类。

LU：在常温下进行测试。

ESD-HBM：人体模型静电放电测试。

ESD-CDM：带电器模型静电放电测试。

ASER：加速软错误测试。

SSER：系统软错误测试。

测试条件包括温度、电压等，具体要求如下：

T：温度

J：结温

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Vcc：芯片电源电压

Vccmax：最大电源电压