12、SRAM结构与读写时序.pptx

SRAM结构与读写时序

一、SRAM结构1、基本存储单元结构与DRAM由电容存储数据不同，SRAM采用由MOS管组成的触发器来构建基本存储单元，虚线框住的6个双稳态MOS管组合在一起可以完成对一个二进制位的存储。

2、SRAM2114外部结构2114外部结构图2114工作原理图

二、SRAM读写时序1、SRAM2114读时序地址信号有效→片选信号有效→数据信号有效→撤销信号→撤销地址信号读周期tRC由两部分时间构成，读出时间tA和数据维持时间tOTD。

2、SRAM2114写时序存储器写周期指的是将外部数据通过总线送入指定存储单元，它包括滞后时间tAW，写入时间tW和恢复时间tWR。

三、SRAM和DRAM性能比较1、速度：SRAM采用双稳态MOS管组成触发器电路，相比较用电容存储电荷的DRAM，速度优势明显。2、集成度：集成度指在单位面积的基片上能够容纳的基本存储单元数量，DRAM基本单元只要一个晶体管和一个电容器即可，而要搭建SRAM基本单元电路则需要4~6个MOS管，其集成度也就会低很多。3、封装尺寸：DRAM采用分时传送行列地址信号的方式，可以将地址管脚的数量压缩一半。4、功耗：DRAM基本单元构成简单，因此功耗更小，发热量更低，稳定性更强。5、数据保持：DRAM由于自身采用电容存储电荷，需配备刷新电路，周期性补充电荷，这样也会消耗一部分功率，而SRAM则不需要进行数据再生操作。6、位价格：价格与成本成正比例关系，DRAM价格优势更为明显，适合商业应用推广。

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