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内存结构与性能
一、内存结构
1、内存条外形
PCB基板
元器件与触点
存储芯片
SPD芯片
2、内存逻辑结构
内存逻辑结构图
内存芯片结构图
3、内存单元物理结构
DRAM基本单元结构
DRAM工作原理图
一个晶体管和一个电容器就可以构成最基本的内存单元,电容器的存储状态决定了单元中的信息是1还是0,单个电容器可以存储一定量的电荷,一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1,而“空”的电容器则是0。
在进行读操作时,字线为高电平时使T导通,若电容C上存储有电荷,则会经过T管在数据线上产生电流,可视为读出数据“1”,若C上没有电荷时,数据线上就不会出现电流,这是就认为读出数据“0”。写操作也类似。
DRAM行列分时译码方式
DRAM采用分时传送地址码的方法,获取一个内存单元的数据,要进行两次地址信号传输,第一次发送行地址RAS信号,将存储矩阵中一行数据放入缓冲区,第二次发送列地址CAS,再从行缓冲区中获取指定单元号的数据并通过数据线传出。地址复用方式削减了地址管脚的数量,能够有效减小芯片封装体积,但分时传输,会造成存储访问一定的延迟。
DRAM工作过程示例
谢谢大家!
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