半导体物理与器件第四版课后习题答案(供参考).pdfVIP

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半导体物理与器件第四版课后习题答案(供参考)--第1页

半导体物理与器件第四版课后习题答案(供参考)

Chapter4

4.1wherecONandONυarethevaluesat300K.

4.2

Plot

_______________________________________

4.3

Bytrialanderror,5.367?TK

(b)

Bytrialanderror,5.417?TK

_______________________________________

4.4

At200=TK,()

=3002000259.0kT

017267.0=eV

At400=TK,()?

=3004000259.0kT034533.0=eV

or

or318.1=gEeVNowso37

1041.9?=ocoNNυcm6-

_______________________________________

4.5For200=TK,017267.0=kTeVFor300=TK,0259.0=kTeV

For400=TK,034533.0=kTeV

(a)For200=TK,

(b)For300=TK,

(c)For400=TK,

_______________________________________

4.6

LetxEEc=-

Then??

半导体物理与器件第四版课后习题答案(供参考)--第1页

半导体物理与器件第四版课后习题答案(供参考)--第2页

-∝kTxxfgFcexpTofindthemaximumvalue:whichyieldsThemaximumvalueoccursat(b)

LetxEE=-υThen()??

-∝-kTxxfgFexp1υTofindthemaximumvalueSameaspart(a).Maximumoccursator

_______________________________________

4.7where

kTEEc41+=and22kTEEc+=Thenor_______________________________________4.8Plot

_______________________________________4.9Plot_______________________________________

4.10Silicon:opmm56.0*=,onmm08.1*=

0128.0-=-midgapFiEEeVGermanium:opmm37.0*=,

onmm55.0*

=

0077.0-=-midgapFiE

EeV

GalliumArsenide:opmm48.0*=,0382.0+=-midgap

FiEEeV_______________________________________

4.1263.10-?meV47.43+?meV_______________________________________4.13Let()==KEgcconstantThenLetkT

EEc

-=ηsothatηdkTdE?=Wecanwrite

sothatTheintegralcanthenbewrittenaswhichbecomes

_______________________________________4.14

Let()()ccEECEg-=1forcEE≥ThenLet

kT

EEc

-=ηsothatηdkTdE?=

WecanwriteThenor

WefindthatSo

_______________________________________4.15

Wehave

=∈*1mmaroroForgermanium,16=∈r,omm55.0*=Thenor

Theionizationenergycan

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