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发光二极管主要参数与特性

LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结

结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光

谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。

、电学特性

LED

1

1.1I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的

I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压

表现低接触电阻，反之为高接触电阻。

II如左图：

F正向

（1）

死区：（图oa

或oa′段）a

点对于V为开

0

启电压，当V

VV

击反向死区工作区FVa，外加电场

穿正向死区

区尚克服不少因

I载流子扩散

R

LED其值不同，

I-V特性曲线

而形成势垒电场，此时很大；开启电压对于不同

R

为，红色为，为，为。

GaAs1VGaAsP1.2VGaP1.8VGaN2.5V

2）正向工作区：电流I与外加电压呈指数关系

（–F为反向饱和电流。

1）I

I=I（eqVS

FSF/KT

时，的正向工作区随指数上升

0VVIVI=Ie

VFFFFS

）反向死区：时结加反偏压qVF/KT

3V0pn

（

时，反向漏电流