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全球和中国半导体产业发展历史和大事记

1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅

文明时代。

1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出

了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科

学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、

吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和

半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京

大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养

出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎

三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子

所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程

师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用

物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接

触二极管和三极管（即晶体管）。

1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路

（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规

模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大

规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI

（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。

1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化

研究所――第十三所（河北半导体研究所）。

1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体

打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。

1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并

在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，

在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电

路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路

等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年

建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电

路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体

研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。

之后，又研制成CMOS电路。

七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，

共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871

（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂

（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四

厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、

五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。

1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

1973年，我国7个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条3英寸工

艺线，最后只有北京878厂，航天部陕西骊山771所和贵州都匀4433厂。

1976年11月，中国科学院计算所研制成功1000万次大型电子计算机，所

使用的电路为中国科学院109厂（现中科院微电子中心）研制的ECL型（发射极

耦合逻辑）电路。

1982年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742厂）IC生产线建成验收投产，

这是一条从日本东芝公司全面引进彩色和黑白电视机集成电路生产线，不仅拥有

部封装，而且有3英