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发光二极管主要参数与特性
LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结
结型器件的电学特性:I-V特性、C-V特性和光学特性:光
谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。
、电学特性
LED
1
1.1I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的
I-V特性具有非线性、整流性质:单向导电性,即外加正偏压
表现低接触电阻,反之为高接触电阻。
II如左图:
F正向
(1)
死区:(图oa
或oa′段)a
点对于V为开
0
启电压,当V
VV
击反向死区工作区FVa,外加电场
穿正向死区
区尚克服不少因
I载流子扩散
R
LED其值不同,
I-V特性曲线
而形成势垒电场,此时很大;开启电压对于不同
R
为,红色为,为,为。
GaAs1VGaAsP1.2VGaP1.8VGaN2.5V
2)正向工作区:电流I与外加电压呈指数关系
(–F为反向饱和电流。
1)I
I=I(eqVS
FSF/KT
时,的正向工作区随指数上升
0VVIVI=Ie
VFFFFS
)反向死区:时结加反偏压qVF/KT
3V0pn
(
时,反向漏电流
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