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二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二

极管符号意义

CT—--势垒电容

Cj—-—结(极间）电容，表示在二极管两端加规定偏

压下,锗检波二极管的总电容

Cjv—-—偏压结电容

Co——-零偏压电容

Cjo—--零偏压结电容

Cjo/Cjn—-—结电容变化

Cs———管壳电容或封装电容

Ct———总电容

CTV—-—电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的

相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC———电容温度系数

Cvn--—标称电容

IF-—-正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在

规定的正向电压VF下，通过极间的电流;硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通

过的最大工作电流（平均值）,硅开关二极管在额定功

率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正

向电参数时给定的电流

IF（AV)———正向平均电流

IFM(IM）———正向峰值电流（正向最大电流).在额

定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发

光二极管极限电流。

IH恒定电流。维持电流。

Ii--—发光二极管起辉电流

IFRM———正向重复峰值电流

IFSM———正向不重复峰值电流（浪涌电流)

Io——-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压

条件下所通过的工作电流

IF（ov)--—正向过载电流

IL光电流或稳流二极管极限电流

ID———暗电流

IB2单结晶体管中的基极调制电流

IEM——-发射极峰值电流

IEB10-—-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间

反向电流

IEB20———双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM——-最大输出平均电流

IFMP-——正向脉冲电流

IP-—-峰点电流

IV———谷点电流

IGT-—-晶闸管控制极触发电流

IGD晶闸管控制极不触发电流

IGFM控制极正向峰值电流

IR(AV)-—-反向平均电流

IR(In）--—反向直流电流（反向漏电流）。在测反向

特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载

电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开

关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；

稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在

正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM—--反向峰值电流

IRR—--晶闸管反向重复平均电流

IDR—--晶闸管断态平均重复电流

IRRM-—-反向重复峰值电流

IRSM反向不重复峰值电流(反向浪涌电流）

Irp-——反向恢复电流

Iz———稳定电压电流（反向测试电流）.测试反向电

参数时，给定的反向电流

Izk—-—稳压管膝点电流

IOM—-—最大正向（整流)电流.在规定条件下,能承受

的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流

电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM-—-稳压二极管浪涌电流

IZM-——最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极

管允许通过的电流

iF——-正向总瞬时电流

iR反向总瞬时电流

ir—--反向恢复电流

Iop-——工作电流

Is——-稳流二极管稳定电流

f频率

n—--电容变化指数；电容比

Q———优值（品质因素）

δvz-—-稳压管电压漂移

di/dt-——通态电流临界上升率

dv/dt—--通态电压临界上升率

PB———承受脉冲烧毁功率

PFT（AV）———正向导通平均耗散功率

PFTM——-正向峰值耗散功率

PFT-—-正向导通总瞬时耗散功率

Pd—--耗散功率

PG-——门极平均功率

PGM门极峰值功率

PC—-—控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi输入功率

PK-—-最大开关功率

PM———额定功率。硅二极管结温不高于150度所

能承受的最大功率

PMP—--最大漏过脉冲功率

PMS—--最大承受脉冲功率

Po--—输出功率

PR反向浪涌功率

Ptot——-总耗散功率

Pomax--—最大输出功率

Psc——-连续输出功率

PSM—-—不重复浪涌功率

PZM最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极

管允许承受的最大功率

RF(r)-——正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压

指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电

压下，电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I，则

△V/△I称微分电阻

RBB双基极晶体管的基极间电阻

RE—--射频电阻

RL—-—负载电阻

Rs(rs)——-—串联电阻

Rth-———热阻

R(th)ja—结到环境的热阻

R