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半导体器件物理施敏课后答案

1．半导体的晶格结构：金刚石型结构；闪锌矿型结构；纤锌矿型

结构

2．原子的能级和晶体的能带

3．半导体中电子的状态和能带（重点，难点）

4．导体、半导体和绝缘体的能带（重点）

研究晶体中电子状态的理论称为能带论，在前一学期的《固体物理》

课程中已经比较完整地介绍了，本节把重要的内容和思想做简要的回

顾。

本授课单元教学手段与方法：

采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授

本授课单元思考题、讨论题、作业：

作业题：44页1题

本授课单元参考资料（含参考书、文献等，必要时可列出）

1.刘恩科，朱秉升等《半导体物理学》，电子工业出版社2005?

2.田敬民，张声良《半导体物理学学习辅导与典型题解》?电子工业

出版社2005

3.施敏著，赵鹤鸣等译，《半导体器件物理与工艺》，苏州大学出

版社，2002

4.方俊鑫，陆栋，《固体物理学》上海科学技术出版社

5．曾谨言，《量子力学》科学出版社

注：1.每单元页面大小可自行添减；2.一个授课单元为一个教案；

3.重点“”、“难点”、“教学手段与方法”部分要尽量具体；4.授课类型

指：理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。

授课类型：理论课授课时间：2节

授课题目（教学章节或主题）：

第一章半导体的电子状态

1.3半导体中的电子运动——有效质量

1.4本征半导体的导电机构——空穴

本授课单元教学目标或要求：

理解有效质量和空穴的物理意义，已知e（k）表达式，能求电子和

空穴的有效质量，速度和加速度

本授课单元教学内容（包括基本内容、重点、难点，以及引导学生

解决重点难点的方法、例题等）：

1．半导体中e（k）与k的关系（重点，难点）

2．半导体中电子的平均速度

3．半导体中电子的加速度

4．有效质量的物理意义（重点，难点）

【篇二：《半导体器件物理》理论课程教学大纲】

=txt课程编码课程模块：专业方向课修读方式：限选

开课学期：5课程学分：2.5课程总学时：51理论学时：36实践学

时：15

一、课程性质、内容与目标

本课程是高等学校本科集成电路设计与集成系统、微电子技术专业

必修的一门专业主干课，是研究集成电路设计和微电子技术的基础课

程。本课程是本专业微电子技术方向限选课。

本课程的任务是：通过本课程的学习，掌握半导体物理基础、半导

体器件基本原理和基本设计技能，为学习后续的集成电路原理、cmos

模拟集成电路设计等课程以及为从事与本专业有关的集成电路设计、

制造等工作打下一定的基础。

二、教学内容及基本要求、学时分配

第一章、半导体器件简介1.掌握半导体的四种基础结构；2.了解主

要的半导体器件；

3.了解微电子学历史、现状和发展趋势。第二章、热平衡时的能带

和载流子浓度

1.了解主要半导体材料，掌握硅、锗、砷化镓晶体结构；2.了解基

本晶体生长技术；

3.掌握半导体、绝缘体、金属的能带理论；

4.掌握本征载流子、施主、受主的概念。第三章、载流子输运现象

1.了解半导体中两个散射机制；掌握迁移率与浓度、温度的关系；2.

了解霍耳效应；

3.掌握电流密度方程式、爱因斯坦关系式；

4.掌握非平衡状态概念；了解直接复合、间接复合过程；5.掌握连

续性方程式；

6.了解热电子发射过程、隧穿过程和强电场效应。第四章、p-n结

1.了解基本工艺步骤：了解氧化、图形曝光、扩散和离子注入和金属

化等概念；

2.掌握热平衡态、空间电荷区的概念；掌握突变结和线性缓变结的耗

尽区的电场和电势分布、势垒电容计算；

3.了解理想p-n结的电流-电压方程的推导过程；4.掌握电荷储存与

暂态响应、扩散电容的概念；5.掌握p-n结的三种击穿机制。6.了

解异质结的能带图。

第五章、双极型晶体管及相关器件

1.晶体管的工作原理：掌握四种工作模式、电流增益、发射效率、基

区输运系数；

2.双极型晶体管的静态特