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班级姓名学号

⊙⊙⊙⊙密封线内请勿答题⊙⊙⊙

《电子技术基础与技能》

二极管及其特性

(满分100分90分钟完成)

选择题(共15题,每题4分,共60分)

1、{下列对物质的分类说法错误的是()。}

A.物质按照导电能力强弱可以分为导体、绝缘体、半导体。

B.导体的导电能力最强。

C.半导体的导电能力最弱。

D.绝缘体能够良好地隔绝电流。

答案:C

难易程度:易

答案解析:半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

2.{常用于制作半导体的材料是()。}

A.硅、硼

B.锗、铟

C.硼、磷

D.硅、锗

答案:D

难易程度:易

答案解析:常用于制作半导体的材料是硅、锗。

3.{P型半导体是利用半导体的()制成的。}

A.掺杂性

B.热敏性

C.导电性

D.光敏性

答案:A

难易程度:易

答案解析:P型半导体是利用半导体的掺杂性制成的。

4.{在纯净的半导体中加入()价的()可以得到N型半导体。}

A.3,硼

B.5,硼

C.3,磷

D.5,磷。

答案:D

难易程度:易

答案解析:N型半导体是在硅或锗的本征半导体中加入5价磷或砷得到的。

5.{晶体二极管内部由()构成。}

A、一个PN结B、两个PN结C、两块N型半导体D、两块P型半导体。

答案:A

难易程度:易

答案解析:二极管的核心结构是一个PN结。

6、{锗二极管的导通电压为()。}

A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V

答案:B

难易程度:易

答案解析:锗管的导通电压为0.3v

7、{二极管的伏安特性曲线反映的是二极管()的关系曲线。}

A、VD-IDB、VD-rDC、ID-RDD、f-ID

答案:A

难易程度:易

答案解析:二极管的伏安特性曲线反映的是电压与电流的关系。

8、{若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管()。}

A、击穿B、电流为零C、电流过大而损坏D、正向电压偏低而截止

答案:C

难易程度:易

答案解析:内阻为零,电流无穷大,二极管会因为电流过大二损坏。

9、{二极管正向导通的充要条件是()。}

A、加上正向电压B、加上超过死区电压的正向电压

C、加上反向电压D、加上低于死区电压的正向电压

答案:B

难易程度:易

答案解析:二极管导通所加正向电压必须超过死区电压。

10、{下列关于2CW系列二极管说法正确的是()。}

A、该管是N型锗管B、该管表示整流二极管

C、该管是N型硅管D、该管表示P型硅管

答案:C

难易程度:易

答案解析:C表示N型硅。

11、{如图所示,A、B两点之间的电压是()。}

图1

A、5VB、10VC、-5VD、15V

答案:B

难易程度:难

答案解析:二极管均承受反向电压而截止,故AB间电压为10v。

12、{如图2所示,二极管的状态是()。}

图2

A、导通B、截止C、反向击穿D、无法判断

答案:B

难易程度:难

答案解析:二极管均承受反向电压而截止。

13、某二极管的击穿电压是400V,下列那只二极管不会被击穿()。

A.最高反向工作电压为120vB.最高反向工作电压为220v

C.最高反向工作电压为100vD.最高反向工作电压为80v

答案:B

难易程度:较难

答案解析:最高反向工作电压为击穿电压的1/2~1/3,最高反向工作电压为220v的二极管不会被击穿。

14.{硅二极管的导通电压为()。}

A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V

答案:D

难易程度:易

答案解析:硅管的导通电压为0.7v

15.{如图3所示,若二极管为硅管,流过电阻的电流是()。}

图3

A.0.01AB.0.1AC.0.93AD.0.093A

答案:D

难易程度:难

答案解析:硅管导通电压为0.7V,二极管承受正向电压导通,导通之后端电压为0.7V,电阻上的电压为10v-0.7v=9.3v,利用欧姆定律可知流过的电流为0.093A。

二、判断

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