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班级姓名学号
⊙⊙⊙⊙密封线内请勿答题⊙⊙⊙
《电子技术基础与技能》
二极管及其特性
(满分100分90分钟完成)
选择题(共15题,每题4分,共60分)
1、{下列对物质的分类说法错误的是()。}
A.物质按照导电能力强弱可以分为导体、绝缘体、半导体。
B.导体的导电能力最强。
C.半导体的导电能力最弱。
D.绝缘体能够良好地隔绝电流。
答案:C
难易程度:易
答案解析:半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
2.{常用于制作半导体的材料是()。}
A.硅、硼
B.锗、铟
C.硼、磷
D.硅、锗
答案:D
难易程度:易
答案解析:常用于制作半导体的材料是硅、锗。
3.{P型半导体是利用半导体的()制成的。}
A.掺杂性
B.热敏性
C.导电性
D.光敏性
答案:A
难易程度:易
答案解析:P型半导体是利用半导体的掺杂性制成的。
4.{在纯净的半导体中加入()价的()可以得到N型半导体。}
A.3,硼
B.5,硼
C.3,磷
D.5,磷。
答案:D
难易程度:易
答案解析:N型半导体是在硅或锗的本征半导体中加入5价磷或砷得到的。
5.{晶体二极管内部由()构成。}
A、一个PN结B、两个PN结C、两块N型半导体D、两块P型半导体。
答案:A
难易程度:易
答案解析:二极管的核心结构是一个PN结。
6、{锗二极管的导通电压为()。}
A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
答案:B
难易程度:易
答案解析:锗管的导通电压为0.3v
7、{二极管的伏安特性曲线反映的是二极管()的关系曲线。}
A、VD-IDB、VD-rDC、ID-RDD、f-ID
答案:A
难易程度:易
答案解析:二极管的伏安特性曲线反映的是电压与电流的关系。
8、{若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管()。}
A、击穿B、电流为零C、电流过大而损坏D、正向电压偏低而截止
答案:C
难易程度:易
答案解析:内阻为零,电流无穷大,二极管会因为电流过大二损坏。
9、{二极管正向导通的充要条件是()。}
A、加上正向电压B、加上超过死区电压的正向电压
C、加上反向电压D、加上低于死区电压的正向电压
答案:B
难易程度:易
答案解析:二极管导通所加正向电压必须超过死区电压。
10、{下列关于2CW系列二极管说法正确的是()。}
A、该管是N型锗管B、该管表示整流二极管
C、该管是N型硅管D、该管表示P型硅管
答案:C
难易程度:易
答案解析:C表示N型硅。
11、{如图所示,A、B两点之间的电压是()。}
图1
A、5VB、10VC、-5VD、15V
答案:B
难易程度:难
答案解析:二极管均承受反向电压而截止,故AB间电压为10v。
12、{如图2所示,二极管的状态是()。}
图2
A、导通B、截止C、反向击穿D、无法判断
答案:B
难易程度:难
答案解析:二极管均承受反向电压而截止。
13、某二极管的击穿电压是400V,下列那只二极管不会被击穿()。
A.最高反向工作电压为120vB.最高反向工作电压为220v
C.最高反向工作电压为100vD.最高反向工作电压为80v
答案:B
难易程度:较难
答案解析:最高反向工作电压为击穿电压的1/2~1/3,最高反向工作电压为220v的二极管不会被击穿。
14.{硅二极管的导通电压为()。}
A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
答案:D
难易程度:易
答案解析:硅管的导通电压为0.7v
15.{如图3所示,若二极管为硅管,流过电阻的电流是()。}
图3
A.0.01AB.0.1AC.0.93AD.0.093A
答案:D
难易程度:难
答案解析:硅管导通电压为0.7V,二极管承受正向电压导通,导通之后端电压为0.7V,电阻上的电压为10v-0.7v=9.3v,利用欧姆定律可知流过的电流为0.093A。
二、判断
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