双极型晶体管又称半导体三极管晶体三极管或简称晶体管三极管的.ppt

第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件第一章常用半导体器件云南能源职业技术学院电气教研室－－模拟电路多媒体课件双极型晶体管(BJT)又称半导体三极管、晶体三极管，或简称晶体管。(BipolarJunctionTransistor)三极管的外形如下图所示。三极管有两种类型：NPN型和PNP型。主要以NPN型为例进行讨论。图1.3.1三极管的外形X：低频小功率管D：低频大功率管G：高频小功率管A：高频大功率管1.3.1晶体管的结构及类型常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。图1.3.2a三极管的结构(a)平面型(NPN)(b)合金型(PNP)NecNPb二氧化硅becPNPe发射极，b基极，c集电极。发射区集电区基区基区发射区集电区图1.3.2(b)三极管结构示意图和符号NPN型ecb符号集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极eNNP集电区集电结基区发射结发射区集电极c发射极e基极bcbe符号NNPPN图1.3.2?三极管结构示意图和符号(b)PNP型1.3.2晶体管的电流放大作用以NPN型三极管为例讨论cNNPebbec表面看三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。不具备放大作用三极管内部结构要求：NNPebcNNNPPP1.发射区高掺杂。2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。3.集电结面积大。becRcRb一、晶体管内部载流子的运动IEIB发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流IE(基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流Ibn，复合掉的空穴由VBB补充。多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。晶体管内部载流子的运动becIEIBRcRb3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流Icn。其能量来自外接电源VCC。IC另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。ICBO晶体管内部载流子的运动beceRcRb二、晶体管的电流分配关系IEpICBOIEICIBIEnIBnICnIC=ICn+ICBOIE=ICn+IBn+IEp=IEn+IEpIB=IEP+IBN－ICBOIE=IC+IB图1.3.4晶体管内部载流子的运动与外部电流三、晶体管的共射电流放大系数整理可得：ICBO称反向饱和电流ICEO称穿透电流1、共射直流电流放大系数2、共射交流电流放大系数VCCRb+VBBC1TICIBC2Rc+共发射极接法3、共基直流电流放大系数4、共基交流电流放大系数直流参数与交流参数?、?的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，?与，?与的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。或5.?与?的关系ICIE+